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1. (WO2015105622) RELAXATION DE CONTRAINTE SUR FILM EN CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105622    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/069889
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : UNDERWOOD, Brian Saxton; (US).
MALLICK, Abhijit Basu; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/152,101 10.01.2014 US
Titre (EN) CARBON FILM STRESS RELAXATION
(FR) RELAXATION DE CONTRAINTE SUR FILM EN CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)Methods are described for treating a carbon film on a semiconductor substrate. The carbon may have a high content of sp3 bonding to increase etch resistance and enable new applications as a hard mask. The carbon film may be referred to as diamond-like carbon before and even after treatment. The purpose of the treatment is to reduce the typically high stress of the deposited carbon film without sacrificing etch resistance. The treatment involves ion bombardment using plasma effluents formed from a local capacitive plasma. The local plasma is formed from one or more of inert gases, carbon-and-hydrogen precursors and/or nitrogen-containing precursors.
(FR)L'invention concerne des procédés permettant de traiter un film en carbone sur un substrat à semi-conducteur. Le carbone peut avoir une teneur élevée de liaison sp3 pour augmenter la résistance à la gravure et permettre de nouvelles applications en tant que masque dur. Le film en carbone peut être dit carbone adamantin avant et même après traitement. Le traitement a pour but de réduire la contrainte typiquement élevée du film en carbone déposé sans sacrifier la résistance à la gravure. Le traitement implique un bombardement ionique à l'aide d'effluents de plasma formés à partir d'un plasma capacitif local. Le plasma local est formé d'un ou plusieurs gaz inertes, de précurseurs carbone-et-hydrogène et/ou de précurseurs contenant de l'azote.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)