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1. (WO2015105512) CORRECTION D'INCLINAISON UTILISANT DES RÉSISTIVITÉS DE COUCHE DE FORMATION ESTIMÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105512    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/011292
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2014
CIB :
G01V 3/28 (2006.01), G01V 3/38 (2006.01)
Déposants : HALLIBURTON ENERGY SERVICES, INC. [US/US]; 10200 Bellaire Blvd Houston, TX 77072 (US)
Inventeurs : CELEPCIKAY, Ferhat Turker; (TR).
SAN MARTIN, Luis Emilio; (US).
DONDERICI, Burkay; (US)
Mandataire : MADDEN, Robert B.; P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DIP CORRECTION USING ESTIMATED FORMATION LAYER RESISTIVITIES
(FR) CORRECTION D'INCLINAISON UTILISANT DES RÉSISTIVITÉS DE COUCHE DE FORMATION ESTIMÉES
Abrégé : front page image
(EN)In some embodiments, an apparatus and a system, as well as a method and an article, may operate to determine apparent resistivity values of the formation associated with each of several layers comprising a set of at least three layers; to determine a resistivity correction for a selected one of the layers based on at least one of the apparent resistivity value of the selected layer, the width of the selected layer, and the apparent resistivity values in layers of the set located above and below the selected layer in the set within which the apparent resistivity value was obtained; and to generate a dip corrected resistivity value associated with the selected layer, based on the resistivity correction. Methods described herein may operate without using inversion-based or filter-based methods of dip correction. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR)Selon certains modes de réalisation, un appareil et un système, ainsi qu'un procédé et un article, peuvent fonctionner pour déterminer des valeurs de résistivité apparente de la formation associées à chacune de plusieurs couches comprenant un ensemble d'au moins trois couches ; pour déterminer une correction de résistivité pour l'une sélectionnée des couches sur la base d'au moins l'une de la valeur de résistivité apparente de la couche sélectionnée, la largeur de la couche sélectionnée, et les valeurs de résistivité apparente dans des couches de l'ensemble positionnées au-dessus et au-dessous de la couche sélectionnée dans l'ensemble à l'intérieur de laquelle la valeur de résistivité apparente a été obtenue ; et pour générer une valeur de résistivité associée à la couche sélectionnée, sur la base de la correction de résistivité. Des procédés selon la présente invention peuvent fonctionner sans utiliser des procédés basés sur inversion ou basés sur filtre de correction d'inclinaison. Un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)