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1. (WO2015105460) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILMS D'OXYDE DE ZINC DOPÉ À FAIBLE ÉMISSIVITÉ SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105460    N° de la demande internationale :    PCT/SG2015/000006
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.11.2015    
CIB :
C03C 17/00 (2006.01), C03C 17/23 (2006.01), C23C 22/00 (2006.01), C23C 22/12 (2006.01), C23C 22/60 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis Singapore 138632 (SG)
Inventeurs : GOH, Gregory Kia Liang; (SG).
LIEW, Laura-Lynn; (SG)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER LLP; P.O. Box 1088 Rochor Post Office Rochor Road Singapore 911833 (SG)
Données relatives à la priorité :
201400265-3 13.01.2014 SG
Titre (EN) METHOD FOR FORMING LOW EMISSIVITY DOPED ZINC OXIDE FILMS ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILMS D'OXYDE DE ZINC DOPÉ À FAIBLE ÉMISSIVITÉ SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for forming low emissivity doped zinc oxide films on a substrate, and in particular, to a method for forming low emissivity gallium doped zinc oxide films on a substrate via a low temperature chemical bath deposition technique.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former des films d'oxyde de zinc dopé à faible émissivité sur un substrat, et, en particulier, un procédé permettant de former des films d'oxyde de zinc dopé au gallium à faible émissivité sur un substrat par l'intermédiaire d'une technique de dépôt par bain chimique à basse température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)