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1. (WO2015105260) GÉNÉRATEUR DE RAYONS X AYANT UNE STRUCTURE ANTI-CHARGE DE DISPOSITIF ÉMETTEUR D’ÉLECTRONS À TRIODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105260    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/008991
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 26.09.2014
CIB :
H01J 35/04 (2006.01)
Déposants : VACUUM SCIENCE & INSTRUMENT CO., LTD [KR/KR]; 243-10, Techno jungang-ro Yuseong-gu Daejeon 305-510 (KR)
Inventeurs : KIM, Dae-Jun; (KR).
KIM, Do-Yun; (KR).
KIM, Dong-Il; (KR).
YOU, Seung-Min; (KR).
PARK, Kwan-Soo; (KR).
SEO, Seung-Wan; (KR).
PARK, JI-Hye; (KR)
Mandataire : C.M.PATENT & LAW FIRM, LLP.; (MK Bldg.,Yeoksam-dong) 2F, 39, Teheran-ro 25-gil Gangnam-gu Seoul 135-909 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0004224 13.01.2014 KR
Titre (EN) X-RAY GENERATOR HAVING ANTI-CHARGING STRUCTURE OF TRIODE ELECTRON EMITTING DEVICE
(FR) GÉNÉRATEUR DE RAYONS X AYANT UNE STRUCTURE ANTI-CHARGE DE DISPOSITIF ÉMETTEUR D’ÉLECTRONS À TRIODE
Abrégé : front page image
(EN)A new structure of an electron emitting device, which is capable of preventing electrical charge of an insulator, and an X-ray generator using the same are presented. The present invention includes includes: a cathode having an electron source emitting electrons; an anode disposed opposite to the cathode; a metal material formed at a center region of the anode to generate X-ray when the electrons are irradiated thereto; a carbon nanotube formed as a electron emitting device in a region of the cathode, which corresponds to a crossing of the cathode and the anode; a gate disposed between the cathode and the anode with spacing in order to control electrons emitted by the carbon nanotube; a pair of focusing electrodes bended to facilitate combination with both ends of the gate, respectively; subracks disposed between the cathode and the focusing electrodes, respectively, and connected to the cathode to have same electric potential as the cathode; and insulators disposed between the subracks and the focusing electrodes. According to the triode electron emitting device of above structure, the insulator is not exposed to an electron emitter to solve the problems such as electric arc and device destroy, etc. Therefore, an X-ray generator stably generating X-ray can be manufactured.
(FR)L’invention concerne une structure innovante de dispositif émetteur d’électrons, qui est capable de prévenir la charge électrique d’un isolant, et un générateur de rayons X qui utilise cette structure. La présente invention comprend : une cathode possédant une source d’électrons émettant des électrons ; une anode disposée à l’opposé de la cathode ; un matériau métallique formé en une région centrale de l’anode pour produire des rayons X lorsque les électrons sont projetés dessus ; un nanotube de carbone formé comme dispositif émetteur d’électrons dans une région de la cathode qui correspond à un croisement de la cathode et de l’anode ; une porte disposée entre la cathode et l’anode avec un espacement permettant de contrôler les électrons émis par le nanotube de carbone ; une paire d’électrodes de focalisation courbées pour faciliter la combinaison avec les deux extrémités de la porte, respectivement ; des coffrets disposés entre la cathode et les électrodes de focalisation, respectivement, et reliés à la cathode pour avoir le même potentiel électrique que la cathode ; et des isolants disposés entre les coffrets et les électrodes de focalisation. Avec le dispositif émetteur d’électrons à triode doté de la structure ci-dessus, l’isolant n’est pas exposé à un émetteur d’électrons, ce qui résout les problèmes tels que les arcs électriques et les destructions de dispositifs, etc. Il est par conséquent possible de fabriquer un générateur de rayons X produisant des rayons X de manière stable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)