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1. (WO2015105098) PROCÉDÉ DE RACCORDEMENT ET ENSEMBLE ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105098    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050140
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 06.01.2015
CIB :
H05K 3/32 (2006.01), H01B 5/16 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01R 11/01 (2006.01), H01R 43/00 (2006.01)
Déposants : DEXERIALS CORPORATION [JP/JP]; Gate City Osaki, East Tower 8th Floor, 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP)
Inventeurs : ODAKA, Ryosuke; (JP).
SATO, Daisuke; (JP)
Mandataire : HIROTA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-001704 08.01.2014 JP
Titre (EN) CONNECTION METHOD AND ASSEMBLY
(FR) PROCÉDÉ DE RACCORDEMENT ET ENSEMBLE ASSOCIÉ
(JA) 接続方法、及び接合体
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a connection method in which said connection method, which performs anisotropic conductive connection between terminals (1) of a ceramic substrate (2) and terminals of an electronic component, includes steps for: application, which applies anisotropic conductive films upon the terminals (1) of the ceramic substrate (2); mounting, which mounts the electronic component upon the anisotropic conductive films; and hot-pressing, which heats and presses the electronic component, using a hot-pressing member, with a pressure of less than 2 MPa. Height variation of the ceramic substrate (2) is greater than or equal to 20 μm, and the anisotropic conductive films contain a radical-polymerizable material, a thermal radical initiator, and conductive particles of an average particle size of greater than or equal to 13 μm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de raccordement, ledit procédé de raccordement qui réalise un raccordement conducteur anisotrope entre des bornes (1) d'un substrat céramique (2) et des bornes d'un composant électronique, comprenant les étapes suivantes : une étape d'application qui applique des films conducteurs anisotropes sur les bornes (1) du substrat céramique (2) ; une étape de montage qui monte le composant électronique sur les films conducteurs anisotropes ; et une étape de pressage à chaud qui chauffe et presse le composant électronique, à l'aide d'un élément de pressage à chaud, avec une pression inférieure à 2 MPa. La variation de hauteur du substrat céramique (2) est supérieure ou égale à 20 μm et les films conducteurs anisotropes contiennent un matériau polymérisable par voie radicalaire, un initiateur radicalaire thermique et des particules conductrices présentant une taille particulaire moyenne supérieure ou égale à 13 μm.
(JA)セラミック基板(2)の端子(1)と、電子部品の端子とを異方性導電接続させる接続方法において、前記セラミック基板(2)の端子(1)上に異方性導電フィルムを貼り付ける貼付工程と、前記異方性導電フィルム上に前記電子部品を載置する載置工程と、前記電子部品を加熱押圧部材により2MPa未満の押圧力で加熱及び押圧する加熱押圧工程と、を含み、前記セラミック基板(2)の高さバラツキが、20μm以上であり、前記異方性導電フィルムが、ラジカル重合性物質と、熱ラジカル開始剤と、平均粒径が13μm以上の導電性粒子とを含有する接続方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)