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1. (WO2015105049) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105049    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000044
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO, Wataru; (JP).
SUZUKI, Ryota; (JP).
OKAMOTO, Tatsuya; (JP).
KATO, Tatsuya; (JP).
ARAI, Fumitaka; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-003793 10.01.2014 JP
14/204,623 11.03.2014 US
201410250359.4 06.06.2014 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)According to one embodiment, a semiconductor memory device includes a substrate, a semiconductor pillar provided on the substrate to extend in a vertical direction, a plurality of first electrode films provided sideward of the semiconductor pillar to extend in a first direction. The plurality of first electrode films are disposed to be separated from each other along the vertical direction. The semiconductor memory device further includes a plurality of second electrode films provided between the semiconductor pillar and the first electrode films. The plurality of second electrode films are disposed to be separated from each other along the vertical direction. The semiconductor memory device further includes a first insulating film provided between the semiconductor pillar and the second electrode films, and a second insulating film provided between the second electrode film and the first electrode film.
(FR)L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de mémoire à semi-conducteur incluant un substrat, une colonne à semi-conducteur agencée sur le substrat destinée à s'étendre dans une direction verticale, une pluralité de premiers films d'électrode agencés latéralement par rapport à la colonne à semi-conducteur afin de s'étendre dans une première direction. La pluralité de premiers films d'électrode sont disposés afin d'être séparés les uns des autres le long de la direction verticale. La dispositif de mémoire à semi-conducteur comprend en outre une pluralité de seconds films d'électrode agencés entre la colonne à semi-conducteur et les premiers films d'électrode. La pluralité de seconds films d'électrode sont disposés afin d'être séparés les uns des autres le long de la direction verticale. Le dispositif de mémoire à semi-conducteur comprend en outre un premier film isolant agencé entre la colonne à semi-conducteur et les seconds films d'électrode, et un second film isolant agencé entre le second film d'électrode et le premier film d'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)