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1. (WO2015104547) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104547    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/050027
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : SEREN PHOTONICS LIMITED [GB/GB]; 37B UK Technology Centre Pencoed Technology Park Bridgend CF35 5HZ (GB)
Inventeurs : WANG, Tao; (GB)
Mandataire : BARKER BRETTELL LLP; Medina Chambers Town Quay Southampton Hampshire SO14 2AQ (GB)
Données relatives à la priorité :
1400523.5 13.01.2014 GB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a semiconductor device comprising: providing a substrate (205); forming a buffer layer (206) of aluminium nitride (AIN) over the substrate; and forming a layer (210) of gallium nitride (GaN) over the buffer layer; wherein the gallium nitride includes a component of aluminium.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant les étapes consistant à: fournir un substrat (205); à former une couche tampon (206) de nitrure d'aluminium (AIN) sur le substrat; et à former une couche (210) de nitrure de gallium (GaN) sur la couche tampon; le nitrure de gallium comprenant un composant d'aluminium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)