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1. (WO2015104539) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR POUR PRÉPARER DES COMPOSÉS CONTENANT DU LITHIUM CRISTALLINS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104539    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/050014
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), H01M 4/04 (2006.01), H01M 10/052 (2010.01)
Déposants : ILIKA TECHNOLOGIES LIMITED [GB/GB]; Kenneth Dibben House Enterprise Road University of Southampton Science Park, Chilworth Southampton Hampshire SO16 7NS (GB)
Inventeurs : SMITH, Duncan Clifford Alan; (GB).
HAYDEN, Brian Elliott; (GB).
PERKINS, Laura Mary; (GB).
LEE, Christopher Edward; (GB).
ANASTASOPOULOS, Alexandros; (GB).
HUTCHINGS, Kyle James; (GB).
YAKOVLEV, Sergey; (GB)
Mandataire : MCGOWAN, Cathrine; (GB)
Données relatives à la priorité :
1400277.8 08.01.2014 GB
Titre (EN) VAPOUR DEPOSITION METHOD FOR PREPARING CRYSTALLINE LITHIUM-CONTAINING COMPOUNDS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR POUR PRÉPARER DES COMPOSÉS CONTENANT DU LITHIUM CRISTALLINS
Abrégé : front page image
(EN)A vapour deposition method for preparing a crystalline lithium-containing transition metal oxide compound comprises providing a vapour source of each component element of the compound, including at least a source of lithium, a source of oxygen, and a source or sources of one or more transition metals; heating a substrate to between substantially 150°C and substantially 450°C; and co-depositing the component elements from the vapour sources onto the heated substrate wherein the component elements react on the substrate to form the crystalline compound.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dépôt en phase vapeur pour préparer un composé d'oxyde de métal de transition contenant du lithium cristallin qui comprend : se procurer une source de vapeur de chaque élément constitutif du composé, comprenant au moins une source de lithium, une source d'oxygène et une source ou des sources d'un ou plusieurs métaux de transition ; chauffer un substrat à entre substantiellement 150°C et substantiellement 450°C ; et co-déposer les éléments constitutifs à partir des sources de vapeur sur le substrat chauffé, les éléments constitutifs réagissant sur le substrat afin de former le composé cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)