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1. (WO2015104361) USINE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION D'UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SUBSTANCE DOPANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104361    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050308
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
C03C 17/00 (2006.01), C03C 17/245 (2006.01), C03C 17/36 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C22C 14/00 (2006.01)
Déposants : INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH [DE/DE]; Sohnreystr. 21 37697 Lauenförde (DE)
Inventeurs : WAGNER, Dominik; (DE).
KAPPERTZ, Oliver; (DE).
WEIS, Hansjörg; (DE).
PURWINS, Michael; (DE).
SCHMIDT, Rüdiger M.; (DE).
WUTTIG, Matthias; (DE)
Mandataire : KÖRFER, Thomas et al.; (DE)
Données relatives à la priorité :
14150634.5 09.01.2014 EP
Titre (EN) PLANT AND METHOD FOR SPUTTERING A SUBSTRATE USING A DOPANT MATERIAL
(FR) USINE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION D'UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SUBSTANCE DOPANTE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a sputtering technique for substrate coating. According to one aspect, a plant for coating a substrate (102) via sputtering is provided, which comprises a sputtering target (108) providing a coating material for ejection during a sputtering process and deposition on the substrate. The sputtering target (108) further comprises a dopant material for amplification of a sputtering yield. The dopant material comprises at least one of hafnium, tantalum, tungsten, rhenium, osmium, iridium.
(FR)La présente invention concerne une technique de pulvérisation destinée au revêtement d'un substrat. Selon un aspect, l'invention concerne une usine destinée au revêtement d'un substrat (102) par pulvérisation, qui comprend une cible de pulvérisation (108) fournissant une substance de revêtement destinée à être éjectée pendant un procédé de pulvérisation et déposée sur le substrat. La cible de pulvérisation (108) comprend en outre une substance dopante pour l'amplification d'un rendement de pulvérisation. La substance dopante comprend au moins un élément parmi l'hafnium, le tantale, le tungstène, le rhénium, l'osmium, l'iridium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)