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1. (WO2015104337) CONDENSATEUR TAMPON POUR REDRESSEUR À PONT DE DIODES À COURANT DE DÉCHARGE CONTRÔLÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104337    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050263
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H02M 1/42 (2007.01)
Déposants : PHILIPS LIGHTING HOLDING B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 45 5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : DE BONDT, Guy, Louis, Paul; (NL).
SAUERLÄNDER, Georg; (NL).
HATTRUP, Christian; (NL)
Mandataire : VERWEIJ, P., D.; (NL)
Données relatives à la priorité :
14150883.8 13.01.2014 EP
Titre (EN) BUFFERING CAPACITOR FOR DIODE BRIDGE RECTIFIER WITH CONTROLLED DECHARGING CURRENT
(FR) CONDENSATEUR TAMPON POUR REDRESSEUR À PONT DE DIODES À COURANT DE DÉCHARGE CONTRÔLÉ
Abrégé : front page image
(EN)Arrangements (1) for buffering energy comprise buffer capacitor circuits (10) with one or more buffer capacitors (11), first circuits (20) for guiding charging currents for charging the buffer capacitor circuits (10), and second circuits (30) with current source circuits (31-34) for defining amplitudes of de-charging currents for de-charging the buffer capacitor circuits (10), to better control the de-charging of the buffer capacitor circuits (10). The second circuits (30) may further comprise trigger circuits (51-53) for bringing the current source circuits (31-34) into activated modes, and latch circuits (61-63) for latching the current source circuits (31-34). The arrangements (1) may further comprise smoothing capacitor circuits (40) with one or more smoothing capacitors (41). The buffer capacitor circuits (10) may be coupled serially to the first circuits (20), and the first and second circuits (20, 30) may be coupled in parallel to each other.
(FR)Selon l'invention, des agencements (1) pour la mise en tampon d'énergie comprennent des circuits à condensateurs tampon (10) dotés d'un ou plusieurs condensateurs tampon (11), des premiers circuits (20) qui guident les courants de charge servant à charger les circuits à condensateurs tampon (10), et des deuxièmes circuits (30) dotés de circuits de source de courant (31 à 34) qui définissent les amplitudes des courants de décharge servant à décharger les circuits à condensateurs tampon (10), pour mieux contrôler la décharge des circuits à condensateurs tampon (10). Les deuxièmes circuits (30) peuvent également comprendre des circuits de déclenchement (51 à 53) servant à mettre les circuits de source de courant (31 à 34) dans des modes activés, et des circuits de verrouillage (61 à 63) servant à verrouiller les circuits de source de courant (31 à 34). Les agencements (1) peuvent également comprendre des circuits à condensateurs de lissage (40) dotés d'un ou plusieurs condensateurs de lissage (41). Les circuits à condensateurs tampon (10) peuvent être couplés en série aux premiers circuits (20), et les premiers et deuxièmes circuits (20, 30) peuvent être couplés en parallèle les uns aux autres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)