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1. (WO2015104297) MEMOIRE MUNIE DE CELLULES DE MEMOIRE VOLATILE ET NON VOLATILE ASSOCIEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104297    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050177
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
G11C 11/00 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), G11C 14/00 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25, Rue Leblanc F-75015 Paris (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, Rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR)
Inventeurs : JAVERLIAC, Virgile; (FR).
LAYER, Christophe; (FR)
Mandataire : THIBON, Laurent; CABINET BEAUMONT 1 Rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
1450196 10.01.2014 FR
Titre (EN) MEMORY PROVIDED WITH ASSOCIATED VOLATILE AND NON-VOLATILE MEMORY CELLS
(FR) MEMOIRE MUNIE DE CELLULES DE MEMOIRE VOLATILE ET NON VOLATILE ASSOCIEES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a memory array comprising: a plurality of volatile memory cells (202), each including a latch (206, 208); and a plurality of non-volatile memory cells (204), each including at least one resistive element (218) that can be programmed by the direction of a current passed therethrough in order to take at least two resistive states (Rmin' Rmax), each of the non-volatile memory cells being associated with a corresponding cell from the volatile memory cells.
(FR)L'invention concerne une matrice mémoire comprenant : une pluralité de cellules de mémoire volatile (202) comprenant chacune une bascule (206, 208); et une pluralité de cellules de mémoire non volatile (204) comprenant chacune au moins un élément résistif (218) programmable par la direction d'un courant qu'on fait passer dans celui-ci pour prendre au moins deux états résistifs (Rmin' Rmax) ' chacune des cellules de mémoire non volatile étant associée à l'une correspondante des cellules de mémoire volatile.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)