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1. (WO2015104084) DISPOSITIF À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE ET À TRANCHÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/104084    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/075092
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 20.11.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : BANZHAF, Christian Tobias; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 200 429.2 13.01.2014 DE
Titre (DE) TRENCH-MOSFET-TRANSISTORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) TRENCH MOSFET TRANSISTOR DEVICE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE ET À TRANCHÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung schafft eine Trench-MOSFET- Transistorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Trench-MOSFET-Transistorvorrichtung umfasst ein Substrat (1) eines ersten Leitungstyps (n+) mit einer Vorderseite (V) und einer Rückseite (R); einen Drainanschlussbereich (1a) des ersten Leitungstyps (n+) an der Rückseite (R) des Substrats (1), einen sich an den Drainanschlussbereich (la) anschließenden Driftbereich (1 b) des ersten Leitungstyps (n-), einen sich an den Driftbereich (1b) anschließenden ersten Dotierungsbereich (1c) des zweiten Leitungstyps (p) und einen Sourceanschlussbereich (5) des ersten Leitungstyps (n+) an der Vorderseite (V) des Substrats (1); einen ersten Graben (G) mit einer ersten Tiefenerstreckung (T), der ausgehend von der Vorderseite (V) des Substrats (1) in dem Sourceanschlussbereich (5), dem ersten Dotierungsbereich (1c) und dem Driftbereich (1b) gebildet ist und in dem eine Gatestruktur (3, 30) so angeordnet sind, dass durch Anlegen einer Spannung ein Kanalbereich (K) zwischen dem Driftbereich (1 b) und dem Sourceanschlussbereich (5) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) bildbar ist; einen zweiten Graben (G'; G1', G2', G3') mit einer zweiten Tiefenerstreckung (Τ'), welche geringer als die erste Tiefenerstreckung (T) ist, welcher ausgehend von der Vorderseite (V) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) seitlich vom Sourceanschlussbereich (5) angeordnet ist; und einen unterhalb des zweiten Grabens (G'; G1', G2', G3') vergrabenen zweiten Dotierungsbereich (I; I') des zweiten Leitungstyps (p+) mit einer dritten Tiefenerstreckung (T"), welche mindestens so groß wie die erste Tiefenerstreckung (T) ist.
(EN)The present invention relates to a trench MOSFET transistor device and a corresponding production method. The trench MOSFET transistor device comprises a substrate (1) of a first conduction type (n+) having a front side (V) and a rear side (R); a drain terminal region (1a) of the first conduction type (n+) at the rear side (R) of the substrate (1), a drift region (1b) of the first conduction type (n-) adjacent to the drain terminal region (1a), a first doping region (1c) of the second doping type (p) adjacent to the drift region (1b), and a source terminal region (5) of the first conduction type (n+) at the front side (V) of the substrate (1); a first trench (G) having a first depth extent (T), which is formed proceeding from the front side (V) of the substrate (1) in the source terminal region (5), the first doping region (1c) and the drift region (1b) and in which a gate structure (3, 30) is arranged such that as a result of a voltage being applied, a channel region (K) can be formed between the drift region (1b) and the source terminal region (5) in the first doping region (1c); a second trench (G'; G1', G2', G3') having a second depth extent (T'), which is less than the first depth extent (T), which second trench is arranged proceeding from the front side (V) in the first doping region (1c) laterally with respect to the source terminal region (5); and a second doping region (I; I') of the second conduction type (p+) buried below the second trench (G'; G1', G2', G3') and having a third depth extent (T''), which is at least of the same magnitude as the first depth extent (T).
(FR)L'invention concerne un dispositif à transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et à tranchées et un procédé de fabrication correspondant. Le dispositif à transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et à tranchées comprend : un substrat (1) d'un premier type de conductivité (n+) pourvu d'une face avant (V) et d'une face arrière (R) ; une zone de drain (1a) du premier type de conductivité (n+) au niveau de la face arrière (R) du substrat (1) ; une zone de dérive (1b) du premier type de conductivité (n-) raccordée à la zone de drain (la) ; une première zone de dopage (1c) du deuxième type de conductivité (p) raccordée à la zone de dérive (1b) ; et une zone de source (5) du premier type de conductivité (n+) au niveau de la face avant (V) du substrat (1) ; une première tranchée (G) présentant une première étendue en profondeur (T), laquelle tranchée est formée à partir de la face avant (V) du substrat (1) dans la zone de source (5), la première zone de dopage (1c) et la zone de dérive (1b) et dans laquelle une structure de grille (3, 30) est située, de sorte qu'à la suite de l'application d'une tension, une zone de canal (K) peut être formée dans la première zone de dopage (1c) entre la zone de dérive (1b) et la zone de source (5) ; une deuxième tranchée (G' ; G1', G2', G3') présentant une deuxième étendue en profondeur (Τ') inférieure à la première étendue en profondeur (T), laquelle tranchée est disposée à partir de la face avant (V) dans la première zone de dopage (1c) à côté de la zone de source (5) ; et une deuxième zone de dopage (I ; I') du deuxième type de conductivité (p+) enterrée au-dessous de la deuxième tranchée (G' ; G1', G2', G3'), ladite tranchée présentant une troisième étendue en profondeur (T") au moins aussi importante que la première étendue en profondeur (T).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)