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1. (WO2015103641) CIRCUIT DE CORRECTION DE FACTEUR DE PUISSANCE PAR LISSAGE AVEC RÉGULATION ACTIVE D'ANGLE DE CONDUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103641    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010382
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 06.01.2015
CIB :
H02M 1/40 (2007.01)
Déposants : TOUZELBAEV, Maxat [US/US]; (US)
Inventeurs : TOUZELBAEV, Maxat; (US)
Mandataire : CHAN, Melvin D.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/924,180 06.01.2014 US
Titre (EN) VALLEY-FILL POWER FACTOR CORRECTION CIRCUIT WITH ACTIVE CONDUCTION ANGLE CONTROL
(FR) CIRCUIT DE CORRECTION DE FACTEUR DE PUISSANCE PAR LISSAGE AVEC RÉGULATION ACTIVE D'ANGLE DE CONDUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A valley-fill circuit has power factor correction circuit with active conduction angle control. The valley-fill circuit uses a single storage capacitor instead of two. The capacitor is charged to the maximum voltage of the AC cycle, which increases energy storage density by at least four times or more. This makes is feasible to use ceramic capacitors, such as a multilayer ceramic capacitor (MLCC) instead of electrolytic capacitors, which improves the operational longevity of the circuitry.
(FR)Selon l'invention, un circuit de lissage a un circuit de correction de facteur de puissance avec régulation active d'angle de conduction. Le circuit de lissage utilise un seul condensateur de stockage au lieu de deux. Le condensateur est chargé à la tension maximale du cycle CA, ce qui augmente la densité de stockage d'énergie d'au moins quatre fois. Cela permet d'utiliser des condensateurs céramiques, tels qu'un condensateur céramique multicouche (MLCC), au lieu de condensateurs électrolytiques, ce qui améliore la longévité opérationnelle de la circuiterie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)