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1. (WO2015103412) TRANSISTORS CMOS À GRILLE MÉTALLIQUE À CONSTANTE K ÉLEVÉE DOTÉS DE GRILLES TIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103412    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/073032
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 31.12.2014
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : NIIMI, Hiroaki; (US).
KIRKPATRICK, Brian, K.; (US)
Mandataire : DAVIS, Michael, A., Jr.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/922,498 31.12.2013 US
14/567,507 11.12.2014 US
Titre (EN) HIGH-K/METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TIN GATES
(FR) TRANSISTORS CMOS À GRILLE MÉTALLIQUE À CONSTANTE K ÉLEVÉE DOTÉS DE GRILLES TIN
Abrégé : front page image
(EN)In described examples, an integrated circuit is formed with a thick TiN metal gate (146) with a work function greater than 4.85 eV and with a thin TiN metal gate (156) with a work function less than 4.25 eV. An integrated circuit is formed with a replacement gate PMOS TiN metal gate transistor (170) with a workfunction greater than 4.85 eV and with a replacement gate NMOS TiN metal gate transistor (172) with a workfunction less than 4.25 eV. An integrated circuit is formed with a gate first PMOS TiN metal gate transistor with a workfunction greater than 4.85 eV and with a gate first NMOS TiN metal gate transistor with a workfunction less than 4.25 eV.
(FR)L'invention concerne, dans les exemples décrits, un circuit intégré pourvu d'une grille métallique TiN épaisse (146) dont la fonction opérationnelle est supérieure à 4,85 eV et d'une grille métallique TiN mince (156) dont la fonction opérationnelle est inférieure à 4,25 eV. Un circuit intégré est pourvu d'un transistor PMOS à grille métallique TiN de grille de remplacement (170) dont la fonction opérationnelle est supérieure à 4,85 eV et d'un transistor NMOS à grille métallique TiN de grille de remplacement (172) dont la fonction opérationnelle est inférieure à 4,25 eV. Un circuit intégré est pourvu d'un transistor PMOS à grille métallique TiN de première grille dont la fonction opérationnelle est supérieure à 4,85 eV et d'un transistor NMOS à grille métallique TiN de première grille dont la fonction opérationnelle est inférieure à 4,25 eV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)