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1. (WO2015103267) CAPTEUR MAGNÉTOÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103267    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/072756
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.12.2014
CIB :
G01L 1/12 (2006.01)
Déposants : METHODE ELECTRONICS, INC. [US/US]; 111 West Buchanan Street Carthage, IL 62321 (US)
Inventeurs : MORAN, Timothy, J.; (US).
URSETTA, Frank; (US)
Mandataire : ZACHARIAS, Peter, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/921,757 30.12.2013 US
61/925,509 09.01.2014 US
Titre (EN) MAGNETOELASTIC SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTOÉLASTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoelastic sensor. The magnetoelastic sensor uses strain-induced magnetic anisotropy to measure the tension or compression present in a plate. During construction, an annular region of the plate is magnetized with a circumferential magnetization. Magnetic field sensors are placed near this magnetized band at locations where the magnetization direction is non-parallel and non-perpendicular to the axis of tension. The strain-induced magnetic anisotropy caused by tension or compression then produces a shift in the magnetization direction in the plate regions near the field sensors, thereby causing magnetic field changes which are detected by the magnetic field sensors. The magnetic field sensors are connected to an electronic circuit which outputs a voltage signal which indicates the tension or compression in the plate.
(FR)L'invention concerne un capteur magnétoélastique. Le capteur magnétoélastique utilise une anisotropie magnétique induite par tension pour mesurer la tension ou compression présente dans une plaque. Pendant la construction, une région annulaire de la plaque est magnétisée avec une magnétisation circonférentielle. Des capteurs de champ magnétique sont placés près de cette bande magnétisée à des emplacements où la direction de magnétisation est non-parallèle et non-perpendiculaire à l'axe de tension. L'anisotropie magnétique induite par tension, causée par la tension ou compression, produit alors un changement de la direction de magnétisation dans les régions de plaque près des capteurs de champ, en entraînant ainsi des changements de champ magnétique qui sont détectés par les capteurs de champ magnétique. Les capteurs de champ magnétique sont reliés à un circuit électronique qui délivre un signal de tension qui indique la tension ou compression dans la plaque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)