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1. (WO2015103266) INTÉGRATION MONOLITHIQUE DE DISPOSITIFS AU NITRURE III POMPÉ OPTIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103266    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/072752
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.12.2014
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/08 (2010.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607 (US)
Inventeurs : FARRELL, Robert, M.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US).
WEISBUCH, Claude, C.A.; (FR)
Mandataire : GATES, George, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/921,829 30.12.2013 US
Titre (EN) MONOLITHIC INTEGRATION OF OPTICALLY PUMPED III-NITRIDE DEVICES
(FR) INTÉGRATION MONOLITHIQUE DE DISPOSITIFS AU NITRURE III POMPÉ OPTIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The monolithic integration of optically-pumped and electrically-injected III- nitride light-emitting devices. This structure does not involve the growth of p-type layers after an active region for a first Ill-nitride light-emitting device, and thus avoids high temperature growth steps after the fabrication of the active region for the first Ill-nitride light emitting device. Since electrical injection in such a structure cannot be possible, a second Ill-nitride light-emitting device is used to optically pump the first Ill-nitride light emitting device. This second Ill-nitride light emitting device emits light at a shorter wavelength region of the optical spectrum than the first III- nitride light emitting device, so that it can be absorbed by the active region of the first Ill-nitride light-emitting device, which in turn emits light at a longer wavelength region of the optical spectrum than the second Ill-nitride light emitting device.
(FR)L'invention concerne l'intégration monolithique dispositifs électroluminescents au nitrure III pompé optiquement et électriquement injecté. Cette structure n'implique pas la croissance de couches de type p après une région active pour un premier dispositif électroluminescent au nitrure III, et évite ainsi des étapes de croissance à haute température après la fabrication de la région active pour le premier dispositif électroluminescent au nitrure III. Puisque l'injection électrique dans une telle structure ne peut pas être possible, un second dispositif électroluminescent au nitrure III est utilisé pour pomper optiquement le premier dispositif électroluminescent au nitrure III. Le second dispositif électroluminescent au nitrure III émet de la lumière dans une région de longueur d'onde dans le spectre optique plus courte que le premier dispositif électroluminescent au nitrure III, de sorte que ladite lumière peut être absorbée par la région active du premier dispositif électroluminescent au nitrure III, qui à son tour émet de la lumière dans une région de longueur d'onde dans le spectre optique plus longue que le second dispositif électroluminescent au nitrure III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)