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1. (WO2015103194) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN DISPOSITIF À ACCÈS RENFONCÉ ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103194    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/072658
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.12.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Mail Stop 525 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716-9623 (US)
Inventeurs : KARDA, Kamal M.; (US).
LI, Mingtao; (US).
LIU, Haitao; (US).
PANDEY, Deepak Chandra; (US).
FISCHER, Mark; (US)
Mandataire : GUTKE, Steven W.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/148,402 06.01.2014 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A RECESSED ACCESS DEVICE AND METHODS OF FORMING SAME
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN DISPOSITIF À ACCÈS RENFONCÉ ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a recessed access device that includes a first pillar, a second pillar, a channel region connecting the first and second pillars, and a gate disposed over the channel region. The channel region has a width that is narrower than widths of the first pillar and the second pillar. An array of recessed access devices comprises a plurality of pillars protruding from a substrate, and a plurality of channel regions. Each channel region has a width that is less than about 10 nm and couples neighboring pillars to form a plurality of junctionless recessed access devices. A method of forming at least one recessed access device also comprises forming pillars over a substrate, forming at least a channel region coupled with the pillars, the channel region having a relatively narrow width, and forming a gate at least partially surrounding the channel region on at least three sides.
(FR)L’invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un dispositif à accès renfoncé qui comprend un premier pilier, un second pilier, une région de canal connectant les premier et second piliers et une grille disposée sur la région de canal. La région de canal possède une largeur qui est plus étroite que des largeurs des premier et second piliers. Un réseau de dispositifs à accès renfoncé comprend une pluralité de piliers faisant saillie depuis un substrat, et une pluralité de régions de canal. Chaque région de canal possède une largeur qui est inférieure à environ 10 nm et se couple à des piliers voisins pour former une pluralité de dispositifs à accès renfoncé sans jonction. Un procédé de formation d’au moins un dispositif à accès renfoncé comprend également la formation de piliers sur un substrat, la formation d’au moins une région de canal couplée aux piliers, la région de canal ayant une largeur relativement étroite, et la formation d’une grille entourant au moins partiellement la région de canal sur au moins trois côtés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)