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1. (WO2015103146) FORMULATIONS DE GRAVURE SÉLECTIVE DE SILICIUM ET DE GERMANIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/103146    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/072571
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 29.12.2014
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : ENTEGRIS, INC. [US/US]; 129 Concord Road Billerica, MA 01821 (US)
Inventeurs : BILODEAU, Steven; (US).
COOPER, Emanuel I.; (US)
Mandataire : FUIERER, Tristan; (US)
Données relatives à la priorité :
61/922,187 31.12.2013 US
Titre (EN) FORMULATIONS TO SELECTIVELY ETCH SILICON AND GERMANIUM
(FR) FORMULATIONS DE GRAVURE SÉLECTIVE DE SILICIUM ET DE GERMANIUM
Abrégé : front page image
(EN)Compositions useful for the selective removal of silicon-containing materials relative to germanium-containing materials, and vice versa, from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions include at least one diol and are tunable to achieve the required Si:Ge removal selectivity and etch rates.
(FR)L'invention concerne des compositions utiles pour l'élimination sélective de matériaux contenant du silicium par rapport à des matériaux contenant du germanium et vice-et-versa, d'un dispositif micro-électronique dont la surface est pourvue de ces matériaux. Les compositions d'élimination contiennent au moins un diol et peuvent être accordées pour accomplir l'élimination sélective Si:Ge et les taux de gravure requis.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)