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1. (WO2015102724) PROCÉDÉ POUR OBTENIR UN DISPOSITIF PHOTONIQUE PAR CROISSANCE ÉPITAXIALE PRÉSENTANT UN NOMBRE RÉDUIT DE DÉFAUTS ET STRUCTURE AINSI OBTENUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/102724    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/060884
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 16.10.2014
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : MEADE, Roy; (US)
Mandataire : LINCICUM, Matthew, V.; Perkins Coie LLP P.O. Box 1247 Seattle, Washington 98111-1247 (US)
Données relatives à la priorité :
14/055,990 17.10.2013 US
Titre (EN) METHOD PROVIDING AN EPITAXIAL PHOTONIC DEVICE HAVING A REDUCTION IN DEFECTS AND RESULTING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ POUR OBTENIR UN DISPOSITIF PHOTONIQUE PAR CROISSANCE ÉPITAXIALE PRÉSENTANT UN NOMBRE RÉDUIT DE DÉFAUTS ET STRUCTURE AINSI OBTENUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a photonic device and resulting structure are described in which the photonic device is epitaxially grown over a substrate surface vertically, and laterally over trench isolation regions formed in the substrate surface.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un dispositif photonique et une structure ainsi obtenue, procédé selon lequel le dispositif photonique est formé par croissance épitaxiale sur une surface d'un substrat verticalement, et latéralement au-dessus de zones d'isolation par tranchées formées dans la surface du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)