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1. (WO2015102459) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE GRAPHÈNE ET APPAREIL DE TRANSFERT DE GRAPHÈNE UTILISANT LE TRAITEMENT THERMIQUE SOUS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/102459    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/000085
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 06.01.2015
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01), B41M 5/10 (2006.01)
Déposants : GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 123, Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju 500-712 (KR)
Inventeurs : LEE, Byoung Hun; (KR).
LEE, Sang Kyun; (KR).
LEE, Sang Chul; (KR)
Mandataire : E-SANG PATENT & TRADEMARK LAW FIRM; 3F., 188, Baumoe-ro, Seocho-gu, Seoul 137-890 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0001059 06.01.2014 KR
Titre (EN) GRAPHENE TRANSFER METHOD AND GRAPHENE TRANSFER APPARATUS USING VACUUM HEAT TREATMENT
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE GRAPHÈNE ET APPAREIL DE TRANSFERT DE GRAPHÈNE UTILISANT LE TRAITEMENT THERMIQUE SOUS VIDE
(KO) 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사방법 및 그래핀 전사 장치
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a graphene transfer method and a graphene transfer apparatus. Specifically, the present invention provides a graphene transfer method and a graphene transfer apparatus that can carry out the same, the method comprising the steps of: manufacturing a graphene stack having a support substrate and graphene coupled to each other; and vacuum heat-treating the graphene stack and a transfer-target substrate so as to transfer the graphene of the graphene stack to the transfer-target substrate. Accordingly, the graphene transfer process is performed under the vacuum atmosphere so that elements causing doping between the graphene and the transfer-target substrate are removed, thereby transferring the graphene while maintaining the characteristic of the graphene. In addition, a bonding force between the graphene and the transfer-target substrate is increased by heat treatment when the graphene is transferred, thereby enhancing the graphene transfer state.
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert de graphène et un appareil de transfert de graphène. Spécifiquement, la présente invention concerne un procédé de transfert de graphène comprenant les étapes de: fabrication d'un empilement de graphène ayant un substrat formant support et du graphène couplés l'un à l'autre; et le traitement thermique sous vide de l'empilement de graphène et d'un substrat cible de transfert pour transférer le graphène de l'empilement de graphène vers le substrat cible de transfert, et un appareil de transfert de graphène qui peut l'exécuter. En conséquence, le procédé de transfert de graphène est exécuté sous atmosphère sous vide de sorte que les éléments causant le dopage entre le graphène et le substrat cible de transfert soient retirés, transférant de là le graphène tout en conservant la caractéristique du graphène. De plus, une force de liaison entre le graphène et le substrat cible de transfert est accrue par le traitement thermique lorsque le graphène est transféré, améliorant de là l'état de transfert du graphène.
(KO)그래핀의 전사 방법 및 그래핀 전사 장치가 제공된다. 상세하게는, 지지기판과 그래핀이 결합된 그래핀 적층체를 제조하는 단계, 및 상기 그래핀 적층체와 전사 대상 기판을 진공 열처리하여 상기 그래핀 적층체의 그래핀을 상기 전사 대상 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법 및 이를 수행할 수 있는 그래핀 전사장치를 제공한다. 이에, 진공 분위기하에 그래핀의 전사 공정을 수행함으로써 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 도핑(doping)을 일으키는 요소들을 제거함으로써 그래핀의 특성을 유지하며 전사될 수 있다. 또한, 그래핀 전사 시 열처리를 수행하여 그래핀과 전사 대상 기판과의 접합력을 증가시켜 그래핀 전사 상태를 향상시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)