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1. (WO2015102344) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/102344    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/012983
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 29.12.2014
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01)
Déposants : ILJIN LED CO., LTD. [KR/KR]; 163 Wonsi-ro, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 425-090 (KR)
Inventeurs : YI, Sung-Hak; (KR).
LIM, Lyung; (KR).
KIM, Hee-Youn; (KR)
Mandataire : DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, 4F, 5F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0168199 31.12.2013 KR
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises: a step for forming a first conductive nitride semiconductor layer; and a step for forming a first nitride semiconductor layer for forming a V-pit on the first conductive nitride semiconductor layer, wherein the first nitride semiconductor layer is formed at a lower temperature than the first conductive nitride semiconductor layer so that the V-pit is formed on the first nitride semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure qui comprend : une étape de formation d'un première couche de semi-conducteur au nitrure conductrice ; et une étape de formation d'une première couche de semi-conducteur au nitrure destinée à former un creux en V sur la première couche de semi-conducteur au nitrure conductrice, la première couche de semi-conducteur au nitrure étant formée à une plus basse température que la première couche de semi-conducteur au nitrure conductrice de manière à former le creux en V sur la première couche de semi-conducteur au nitrure.
(KO)본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 v-피트 형성용 제1 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층을 상기 제1도전형 질화물 반도체층보다 낮은 온도에서 형성하여, 상기 제1 질화물 반도체층에서 v-피트가 형성되도록 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)