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1. (WO2015102343) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/102343    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/012982
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 29.12.2014
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01)
Déposants : ILJIN LED CO., LTD. [KR/KR]; 163 Wonsi-ro, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 425-090 (KR)
Inventeurs : YI, Sung-Hak; (KR).
KWON, Tae-Wan; (KR).
LEE, Won-Yong; (KR).
KIM, Hee-Youn; (KR)
Mandataire : DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, 4F, 5F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0167181 30.12.2013 KR
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
(KO) 질화물 반도체 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an n-type nitride semiconductor layer, a strain buffer layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the active layer comprises a light emitting MQW and a non-light emitting MQW, and the non-light emitting MQW comprises a quantum barrier layer formed of a 4-component nitride semiconductor.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure, qui comporte une couche de semi-conducteur au nitrure de type n, une couche de tampon de contraintes, une couche active et une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, la couche active comprenant un MQW (puits quantique multiple) émetteur de lumière et un MQW non-émetteur de lumière, et le MQW non-émetteur de lumière comprenant une couche barrière quantique formée d’un semi-conducteur au nitrure à quatre constituants.
(KO)본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)