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1. (WO2015102101) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/102101    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/084683
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 26.12.2014
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP)
Inventeurs : TAKAMI, Shinichiro; (JP).
ODA, Hiroyuki; (JP).
MURASE, Takehiko; (JP).
TABATA, Makoto; (JP)
Mandataire : HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-000554 06.01.2014 JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR-WAFER PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHES SEMI-CONDUCTRICES
(JA) 研磨用組成物、および半導体ウェハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a stable polishing composition with which a sufficient polishing rate can be achieved, and which exhibits little change in performance even if used repeatedly. This polishing composition includes colloidal silica, a weak acid salt, and a quaternary ammonium compound, and is used to polish semiconductor wafers. The weak acid salt content is in the range of 1.0×10-7 to 1.0×10-5 mol/m2-SiO2 with respect to the total surface area of the colloidal silica. The quaternary ammonium compound content satisfies the relationship set forth in formula (1), namely Y0=A*X+B, and formula (2), namely -20≤(Y-Y0)/Y0≤100(%), with the caveat that, in the formulae, A represents the theoretical buffer ratio of the weak acid salt to the quaternary ammonium compound, B represents the amount of the quaternary ammonium compound which is adsorbed on the colloidal silica, and which is not free in the polishing composition, Y represents the quaternary ammonium compound content, Y0 represents the optimum amount of the quaternary ammonium compound, and X represents the weak acid salt content.
(FR)La présente invention traite le problème de la fourniture d'une composition de polissage stable avec laquelle une vitesse de polissage suffisante peut être obtenue et qui présente un léger changement de la performance même si elle est utilisée à plusieurs reprises. Cette composition de polissage comprend de la silice colloïdale, un sel d'acide faible et un composé d'ammonium quaternaire et est utilisée pour polir des tranches semi-conductrices. La teneur en sel d'acide faible se situe dans la plage allant de 1,0 × 10-7 à 1,0 × 10-5 mol/m2-SiO2 par rapport à la superficie totale de la silice colloïdale. La teneur en composé d'ammonium quaternaire satisfait la relation exposée dans la formule (1), à savoir Y0 = A * X + B, et dans la formule (2), à savoir -20 ≤ (Y - Y0)/Y0 ≤ 100 (%), avec la réserve que, dans la formule A, A représente le rapport de tampon théorique entre le sel d'acide faible et le composé d'ammonium quaternaire, B représente la quantité du composé d'ammonium quaternaire qui est adsorbée sur la silice colloïdale et qui n'est pas libre dans la composition de polissage, Y représente la teneur en composé d'ammonium quaternaire, Y0 représente la quantité optimale du composé d'ammonium quaternaire et X représente la teneur en sel d'acide faible.
(JA)十分な研磨速度を実現し、また繰り返し使用しても性能変化の低い安定した研磨用組成物を提供することを課題とする。コロイダルシリカ、弱酸塩、および第4級アンモニウム化合物を含む、半導体ウェハを研磨する用途で用いられる研磨用組成物であって、前記弱酸塩の含有量が、コロイダルシリカの総表面積に対し、1.0×10-7~1.0×10-5mol/m-SiOであり、前記第4級アンモニウム化合物の含有量が下式(1)および(2)の関係を満たす、研磨用組成物。 [数1] Y=A*X+B (1) -20≦(Y-Y)/Y≦100(%) (2) A:第4級アンモニウム化合物と弱酸塩の理論緩衝比 B:第4級アンモニウム化合物がコロイダルシリカと吸着され、研磨用組成 物中に遊離していない量 Y:第4級アンモニウム化合物の含有量 Y:第4級アンモニウム化合物の最適量 X:弱酸塩の含有量
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)