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1. (WO2015101789) TECHNIQUES D'ACCORD AMÉLIORÉES POUR DES TRANSISTORS DE PUISSANCE À BANDE INTERDITE LARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/101789    N° de la demande internationale :    PCT/GB2014/053859
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 31.12.2014
CIB :
H03F 1/56 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01)
Déposants : DIAMOND MICROWAVE DEVICES LIMITED [GB/GB]; Mayesbrook House Lawnswood Business Park Redvers Close Leeds Yorkshire LS16 6QY (GB)
Inventeurs : LANG, Richard; (GB).
GILL, Jonathan; (GB).
GOTCH, Damian; (GB).
HILTON, Richard; (GB)
Mandataire : YEADON IP LIMITED; Leeds Innovation Centre 103 Clarendon Road Leeds Yorkshire LS2 9DF (GB)
Données relatives à la priorité :
1323159.2 31.12.2013 GB
Titre (EN) IMPROVED MATCHING TECHNIQUES FOR WIDE-BANDGAP POWER TRANSISTORS
(FR) TECHNIQUES D'ACCORD AMÉLIORÉES POUR DES TRANSISTORS DE PUISSANCE À BANDE INTERDITE LARGE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments of the present invention provided an impedance-transforming arrangement comprising a plurality of microwave power transistors (41), and at least one intermediate impedance-transforming or matching device (30). The matching device comprises a plurality of elongate microwave transmission lines (31) provided in or on at least one dielectric substrate (32), extending across or through the dielectric substrate. The microwave transmission lines are coupled at one end to the gate pads (47) of the transistor and at the input ends to a signal input terminal for the transmission line. The transmission lines are substantially directly coupled to one another by means of resistive elements (35) providing a current flow path between the two transmission lines in order to reduce any residual tendency to instability caused by manufacturing variations or misalignment in the assembly process.
(FR)Certains modes de réalisation de la présente invention fournissent un agencement de transformation d'impédance comprenant une pluralité de transistors de puissance à micro-ondes (41), et au moins un dispositif de transformation d'impédance ou d'accord intermédiaire (30). Le dispositif d'accord comprend une pluralité de lignes de transmission de micro-ondes allongées (31) situées dans ou sur au moins un substrat de diélectrique (32), s'étendant en travers ou à travers le substrat de diélectrique. Les lignes de transmission de micro-ondes sont couplées au niveau d'une extrémité aux plots de grille (47) du transistor et au niveau des extrémités d'entrée à une borne d'entrée de signal pour la ligne de transmission. Les lignes de transmission sont couplées sensiblement directement l'une à l'autre au moyen d'éléments résistifs (3) fournissant un chemin de flux de courant entre les deux lignes de transmission afin de réduire une quelconque tendance résiduelle à une instabilité provoquée par des variations de fabrication ou un mauvais alignement dans le processus d'assemblage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)