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1. (WO2015100948) CONDENSATEUR DE SUBSTRAT À MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100948    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/079479
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 09.06.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 2177, TongLingbeiRD, Hefei New Railway Station District Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventeurs : LI, Xiaohe; (CN).
SHAO, Xianjie; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310753392.4 31.12.2013 CN
Titre (EN) CAPACITOR OF TFT ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND RELEVANT DEVICE
(FR) CONDENSATEUR DE SUBSTRAT À MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
(ZH) TFT阵列基板的电容及其制造方法和相关设备
Abrégé : front page image
(EN)A capacitor of a TFT array substrate, a manufacturing method therefor, and a shift register, gate driver, array substrate and display device using the capacitor are disclosed. The TFT array substrate comprises a TFT gate layer, a gate insulating layer, a first ITO layer, a TFT active layer, a TFT source and drain layer, a passivation layer and a second ITO layer which are sequentially formed on a glass substrate. The capacitor is composed of the first ITO layer (5), the passivation layer (3'), and the second ITO layer (6). Moreover, the second ITO layer (6) in the capacitor region is connected with the TFT gate layer (2) so that two capacitors connected in parallel are formed, or, the first ITO layer (6) in the capacitor region is connected with the TFT gate layer (2) so that two capacitors connected in parallel are also formed. The space occupied by the capacitor of the TFT array substrate is reduced and the size of the shift register is reduced so that the shift register is suitable for a narrow frame.
(FR)L'invention concerne un condensateur d'un substrat à matrice de transistors à couches minces (TFT), son procédé de fabrication, et un registre à décalage, un circuit d'attaque de grille, un substrat matriciel et un dispositif d'affichage utilisant le condensateur. Le substrat à matrice de TFT comprend une couche de grille TFT, une couche d'isolation de grille, une première couche d'ITO, une couche active TFT, une couche de source et de drain TFT, une couche de passivation et une seconde couche d'ITO qui sont formées séquentiellement sur un substrat en verre. Le condensateur se compose de la première couche d'ITO (5), de la couche de passivation (3') et de la seconde couche d'ITO (6). En outre, la seconde couche d'ITO (6) dans la région du condensateur est connectée à la couche de grille TFT (2) de manière à former deux condensateurs en parallèle, ou la première couche d'ITO (5) dans la région de condensateur est connectée à la couche de grille TFT (2) de manière à former également deux condensateurs connectés en parallèle. L'espace occupé par le condensateur du substrat à matrice de TFT est réduit et la taille du registre à décalage est réduite de manière que le registre à décalage soit approprié pour un cadre étroit.
(ZH)公开了一种TFT阵列基板的电容及其制造方法,以及使用该电容的移位寄存器、栅极驱动器、阵列基板及显示装置。TFT阵列基板包括依次形成在玻璃基板上的TFT栅极层、栅极绝缘层、第一ITO层、TFT有源层、TFT源漏层、钝化层和第二ITO层,电容由该第一ITO层(5)、钝化层(3')和第二ITO层(6)构成。此外,电容区域的第二ITO层(6)与TFT栅极层(2)相连,由此构成两个并联的电容,或者,电容区域的第一ITO层(6)与所述TFT栅极层(2)相连,也能构成两个并联的电容。减小了TFT阵列基板的电容所占的空间,减小了移位寄存器的尺寸,适合于窄边框。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)