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1. (WO2015100935) SUBSTRAT DE MATRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100935    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/078891
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.05.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : YUAN, Guangcai; (CN).
WANG, Dongfang; (CN).
CHENG, Jun; (CN).
KONG, Xiangyong; (CN).
ZHAO, Ce; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410003674.7 03.01.2014 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制造方法、以及显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A display device, array substrate, and method for fabrication thereof. The array substrate comprises data lines (14) and gate lines (11), said data lines (14) and gate lines (11) intersecting each other to define a pixel region. The pixel region comprises a first thin film transistor and a pixel electrode. The method comprises the following steps: forming on a substrate a semiconductor material and a source/drain metal material, and forming by means of one patterning process the active layer (171) and source/drain layers (152, 151) of said first thin film transistor. The invention significantly shortens the production cycle of thin film transistors, while at the same time, since there are fewer process steps to undergo, the attributes of the thin film transistors are greatly improved, such that a large drift does not occur in the threshold voltage of the thin film transistors.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'affichage, un substrat de matrice, et leur procédé de fabrication. Le substrat de matrice comprend des lignes de données (14) et des lignes de grille (11), lesdites lignes de données (14) et lignes de grille (11) se croisant entre elles pour définir une région de pixels. La région de pixels comprend un premier transistor en couches minces et une électrode de pixel. Le procédé comprend les étapes suivantes : formation, sur un substrat, d'un matériau semi-conducteur et/ou d'un matériau métallique source/de drain, et formation, au moyen d'un procédé de formation de motif, de la couche active (171) et de couches source/de drain (152, 151) dudit premier transistor en couches minces. L'invention raccourcit significativement le cycle de production de transistors en couches minces et, en même temps, puisqu'il y a moins d'étapes de procédé à réaliser, les attributs des transistors en couches minces sont grandement améliorés, de sorte qu'un grand écart n'ait pas lieu dans la tension seuil des transistors en couches minces.
(ZH) 一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括数据线(14)和栅线(11),所述数据线(14)和栅线(11)彼此交叉限定像素区域。所述像素区域包括第一薄膜晶体管和像素电极。所述方法包括如下步骤:在基板上形成半导体材料和源漏金属材料,通过一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管的有源层(171)和源漏电极(152,151)。可大大缩短薄膜晶体管的制作周期,同时由于经历比较少的工艺步骤,可以很好的提高薄膜晶体管的特性,使得薄膜晶体管的阈值电压不会发生较大的漂移。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)