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1. (WO2015100898) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES (TFT), SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100898    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076625
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.04.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Dongfang; (CN).
LIU, Wei; (CN).
CHEN, Haijing; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310746662.9 30.12.2013 CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR, TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES (TFT), SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TFT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a thin-film transistor (TFT), a TFT array substrate and a manufacturing method therefor, and a display device. A source electrode of the TFT comprises a first source electrode portion (51), and a drain electrode of the TFT comprises a first drain electrode portion (52), wherein the first source electrode portion (51) and the first drain electrode portion (52) are arranged on the same layer as an active layer (5) of the TFT and are respectively arranged on the two sides of the active layer (5), and the first source electrode portion (51) and the first drain electrode portion (52) are respectively in direct contact with the active layer (5). Since the first source electrode portion (51) and the first drain electrode portion (52) are not overlapped or have a very small overlapping region with the gate electrode (2), capacitance will not be formed between the first source/drain electrode portion (51, 52) and the gate electrode (2), thereby avoiding the phenomenon that a gate insulating layer is broken down because of an excessively large voltage on the source/drain electrode or too many electrostatic charges gathered on the source/drain electrode.
(FR)L’invention concerne un transistor en couches minces (TFT), un substrat de réseau de TFT et son procédé de fabrication, et un dispositif d’affichage. Une électrode source du TFT comprend une première partie d’électrode source (51), une électrode déversoir du TFT comprend une première partie d’électrode déversoir (52), la première partie d’électrode source (51) et la première partie d’électrode déversoir (52) étant agencées sur la même couche en tant que couche active (5) du TFT et étant respectivement agencées sur les deux côtés de la couche active (5), la première partie d’électrode source (51) et la première partie d’électrode déversoir (52) étant respectivement en contact direct avec la couche active (5). Puisque la première partie d’électrode source (51) et la première partie d’électrode déversoir (52) ne chevauchent pas ou possèdent une très petite région de chevauchement sur l’électrode de grille (2), une capacité ne sera pas formée entre la première partie d’électrode source/déversoir (51, 52) et l’électrode de grille (2), empêchant ainsi le phénomène selon lequel une couche d’isolation de grille est coupée en raison d’une tension excessivement grande sur l’électrode source/déversoir ou de trop nombreuses charges électriques regroupées sur l’électrode source/déversoir.
(ZH)公开了一种薄膜晶体管(TFT)、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置。该TFT的源极包括第一源极部(51),该TFT的漏极包括第一漏极部(52),其中,第一源极部(51)和第一漏极部(52)与该TFT的有源层(5)同层设置且分别设置于该有源层(5)的两侧,且该第一源极部(51)和该第一漏极部(52)分别与该有源层(5)直接接触。由于第一源极部(51)和第一漏极部(52)与栅极(2)之间不重叠或重叠区域很小,不会第一源/漏极部(51、52)与栅极(2)之间形成电容,因此,避免了由于源/漏极上的电压过大,或者源/漏极上的静电电荷聚集过多,而导致的栅极绝缘层被击穿的现象。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)