WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015100894) DISPOSITIF D'AFFICHAGE, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100894    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076477
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 29.04.2014
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : YUAN, Guangcai; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410004069.1 03.01.2014 CN
Titre (EN) DISPLAY DEVICE, ARRAY SUBSTRATE, AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 显示装置、阵列基板及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an array substrate fabrication process, an array substrate, and a display device. The array substrate comprises a first thin film transistor and a pixel electrode (327), an active layer (324), source/drain electrode, and pixel electrode (327) of the first thin film transistor being formed by a primary patterning process. The present invention requires only three photolithographic processes to fabricate an array substrate having good properties, significantly shortening the production cycle of thin film transistors and improving thin film transistor properties, while also greatly increasing product yield.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau, un substrat de réseau, et un dispositif d'affichage. Le substrat de réseau comprend un premier transistor en couches minces et une électrode de pixel (327), une couche active (324), une électrode source/de drain, et une électrode de pixel (327) du premier transistor en couches minces étant formées par un processus primaire de formation de motif. La présente invention ne nécessite que trois processus photo-lithographiques pour fabriquer un substrat de réseau ayant de bonnes propriétés, ce qui raccourcit significativement le cycle de production de transistors en couches minces et améliore les propriétés du transistor en couches minces, tout en augmentant également grandement le rendement de produit.
(ZH)提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极(327),其中,第一薄膜晶体管的有源层(324)和源漏电极以及像素电极(327)通过一次构图工艺形成。本发明仅需要通过三道光刻工艺即可制作出性能良好的阵列基板,大大缩短薄膜晶体管的制作周期,提高薄膜晶体管的特性,同时大大提高产品的良率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)