WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015100887) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE, TRANSISTOR À FILM MINCE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100887    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076195
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 25.04.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : LI, Jing; (CN).
XIE, Zhenyu; (CN).
CHEN, Xu; (CN).
ZHANG, Wenyu; (CN).
XU, Da; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310745564.3 30.12.2013 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE, TRANSISTOR À FILM MINCE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
Abrégé : front page image
(EN)Provided in an embodiment of the present invention are a thin film transistor (TFT) manufacturing method, thin film transistor and display panel, for improving the mobility of current carriers in polysilicon. The TFT manufacturing method comprises: M1, depositing an induction layer on a substrate; M2, etching a recess in the induction layer via an etching process, the edge of the recess being in a specified shape; M3, depositing an amorphous silicon layer in the recess having the edge in the specified shape, inducing the amorphous silicon layer to form a polysilicon layer via a crystallization method, the polysilicon crystalline grains in the polysilicon layer being arranged vertical to the recess edge and restricted by the recess edge, and the polysilicon layer and the induction layer jointly forming a semiconductor layer; and M4, sequentially forming on the semiconductor layer a gate insulating layer, a gate electrode, a passivation layer, and a source electrode and drain electrode connected to the semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un procédé de fabrication de transistor à film mince (TFT), un transistor à film mince et un panneau d'affichage, afin d'améliorer la mobilités des porteurs de courant dans le silicium polycristallin. Le procédé de fabrication de TFT : M1, à déposer une couche d'induction sur un substrat ; M2, à graver un évidement dans la couche d'induction par le biais d'un processus de gravure, le bord de l'évidement étant d'une forme spécifiée ; M3, à déposer une couche de silicium amorphe dans l'évidement ayant le bord d'une forme spécifiée, ce qui induit la couche de silicium amorphe à former une couche de silicium polycristallin par le biais d'un procédé de cristallisation, les grains cristallins de silicium polycristallin dans la couche de silicium polycristallin étant disposés à la verticale du bord de l'évidement et étant restreints par le bord de l'évidement, et la couche de silicium polycristallin et la couche d'induction formant conjointement une couche semi-conductrice; et M4, à former, de manière séquentielle sur la couche semi-conductrice, une couche isolante de grille, une électrode de grille, une couche de passivation, une électrode source et une électrode de drain connectée à la couche semi-conductrice.
(ZH)本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板,以提高多晶硅内载流子的迁移率。所述薄膜晶体管的制备方法包括: M1,在基板上沉积诱导层;M2,通过刻蚀工艺,在所述诱导层中刻蚀出凹部,所述凹部边缘具有规定的形状;M3,在所述具有规定形状的边缘的凹部中沉积非晶硅层,通过晶化方法诱导非晶硅层形成多晶硅层,所述多晶硅层中的多晶硅晶粒在所述凹部边缘的限定下、垂直于凹部边缘方向排布,所述多晶硅层和所述诱导层共同形成半导体层;以及M4,在所述半导体层上依次形成栅绝缘层、栅极、钝化层以及与所述半导体层连接的源极和漏极。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)