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1. (WO2015100847) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE DE TUNGSTÈNE APTE À AMÉLIORER L'EFFICACITÉ D’ADHÉSION ET L'EFFICACITÉ DE REMPLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100847    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/072304
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 20.02.2014
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), C23C 16/08 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : XU, Qiang; (CN).
ZHAO, Chao; (BE).
LUO, Jun; (CN).
WANG, Guilei; (CN).
YANG, Tao; (CN).
LI, Junfeng; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT AND TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87 West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410003202.1 03.01.2014 CN
Titre (EN) TUNGSTEN LAYER DEPOSITING METHOD CAPABLE OF IMPROVING ADHESIVE PERFORMANCE AND FILLING PERFORMANCE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE DE TUNGSTÈNE APTE À AMÉLIORER L'EFFICACITÉ D’ADHÉSION ET L'EFFICACITÉ DE REMPLISSAGE
(ZH) 具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing a tungsten (W) layer, comprising: pre-processing a substrate, and depositing an SiH4 source W film on the surface of the substrate; and depositing a B2H6 source w layer on the pre-treated surface. By using the method, excellent filling performance can be achieved on one hand, and the adhesive performance can be improved on the other hand.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour déposer une couche de tungstène (W), comprenant : le pré-traitement d’un substrat, et le dépôt d’un film W de source SiH4 sur la surface du substrat ; et le dépôt d’une couche W de source B2H6 sur la surface pré-traitée. Par utilisation du procédé, une excellente efficacité de remplissage peut être obtenue d’une part, et l'efficacité d’adhésion peut être améliorée d’autre part.
(ZH)一种沉积钨(W)层的方法,包括:对衬底进行预处理,以在衬底的表面上沉积SiH4源W膜;以及在经预处理的表面上沉积B2H6源W层。通过该方法,一方面可以实现优异的填充性能,另一方面,可以改善粘附性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)