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1. (WO2015100827) PROCÉDÉ POUR DÉFINIR LA DIRECTION DE CROISSANCE DE POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100827    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/071291
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 23.01.2014
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : YU, Wei; (CN).
LEE, Kuancheng; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310746243.5 30.12.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR DEFINING GROWTH DIRECTION OF POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉ POUR DÉFINIR LA DIRECTION DE CROISSANCE DE POLYSILICIUM
(ZH) 定义多晶硅生长方向的方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for defining the growth direction of a polysilicon, comprising: step 1, forming a buffer layer on a substrate; step 2, forming an ordered graphene array on the buffer layer; step 3, forming an amorphous silicon thin-film on the buffer layer having formed thereon the graphene array; and, step 4, annealing via an excimer laser to allow the amorphous silicon thin-film to form a polysilicon. The method allows for control of the growth direction when a polysilicon is forming, thus increasing the crystal grain size of the polysilicon.
(FR)L'invention concerne un procédé pour définir la direction de croissance de polysilicium, comprenant les étapes suivantes : étape 1, formation d'une couche tampon sur un substrat ; étape 2, formation d'un réseau de graphène ordonné sur la couche tampon ; étape 3, formation d'une couche mince de silicium amorphe sur la couche tampon sur laquelle est formé le réseau de graphène ; et étape 4, recuit au moyen d'un laser à excimère pour permettre à la couche mince de silicium amorphe de former du polysilicium. Le procédé permet de commander la direction de croissance lors de la formation de polysilicium, augmentant ainsi la taille des grains cristallins du polysilicium.
(ZH)定义多晶硅生长方向的方法,包括:步骤1、在基板上形成缓冲层;步骤2、在该缓冲层上形成规律的石墨烯阵列;步骤3、在形成有该石墨烯阵列的该缓冲层上形成非晶硅薄膜;步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。所述方法能够控制多晶硅形成时的生长方向,进而可以提高多晶硅晶粒大小。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)