WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015100808) APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT POURVU D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES D'OXYDE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100808    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/070841
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 17.01.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : LIU, Sai-Chang; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/LIU Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310753193.3 31.12.2013 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING APPARATUS PROVIDED WITH OXIDE THIN-FILM TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT POURVU D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES D'OXYDE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting apparatus provided with an oxide thin-film transistor comprises a substrate (201), a substrate insulation layer formed on the substrate (201), a gate electrode (202), a source electrode (203), a drain electrode (204), a passivation layer (207), a shading layer (208), and an organic luminophor. The gate electrode (202) is disposed on the substrate insulation layer. A gate electrode insulation layer (206) and an oxide semiconductor layer (205) are formed between the gate electrode (202), the source electrode (203) and the drain electrode (204). The oxide semiconductor layer (205) comprises a source region, a drain region and a channel region which is used for providing a conducting channel between the source electrode (203) and the drain electrode (204). The passivation layer (207) is disposed on a part of the gate electrode insulation layer (206), the source electrode (203), the drain electrode (204) and the oxide semiconductor layer (205). The shading layer (208) is disposed on the passivation layer (207) and is used for preventing outside light from irradiating to the oxide semiconductor layer (205). The organic luminophor comprises a first electrode and a second electrode. A part of the first electrode penetrates through the passivation layer (207) and is electrically connected to the source electrode (203) or the drain electrode (204). The light-emitting apparatus provided with the oxide thin-film transistor can improve the conducting performance and the stability of an element.
(FR)La présente invention concerne un appareil électroluminescent pourvu d'un transistor en couches minces d'oxyde qui comprend un substrat (201), une couche d'isolation de substrat formée sur le substrat (201), une électrode grille (202), une électrode source (203), une électrode déversoir (204), une couche de passivation (207), une couche d'ombrage (208), et un luminophore organique. L'électrode grille (202) est disposée sur la couche d'isolation de substrat. Une couche d'isolation (206) d'électrode et une couche semi-conductrice (205) d'oxyde sont formées entre l'électrode grille (202), l'électrode source (203) et l'électrode déversoir (204). La couche semi-conductrice (205) d'oxyde comprend une région source, une région déversoir et une région canal qui est utilisée pour créer un canal conducteur entre l'électrode source (203) et l'électrode drain (204). La couche de passivation (207) est disposée sur une partie de la couche d'isolation (206) d'électrode grille, de l'électrode source (203), de l'électrode déversoir (204) et de la couche semi-conductrice (205) d'oxyde. La couche d'ombrage (208) est disposée sur la couche de passivation (207) et est utilisée pour empêcher que la couche semi-conductrice (205) d'oxyde soit exposée à la lumière extérieure. Le luminophore organique comprend une première électrode et une seconde électrode. Une partie de la première électrode pénètre à travers la couche de passivation (207) et est électriquement connectée à l'électrode source (203) ou à l'électrode déversoir (204). L'appareil électroluminescent pourvu d'un transistor en couches minces d'oxyde peut améliorer la performance conductrice et la stabilité d'un élément.
(ZH)一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置,包括:衬底(201)以及衬底上形成的基底绝缘层;栅电极(202)、源电极(203)和漏电极(204),其中,栅电极(202)设在基底绝缘层上,在栅电极(202)与源电极(203)和漏电极(204)之间形成栅电极绝缘层(206)、氧化物半导体层(205),其中,所述氧化物半导体层(205)包括源区和漏区,和用以提供源电极(203)和漏电极(204)之间导电沟道的沟道区;钝化层(207),其设在部分栅电极绝缘层(206)、源电极(203)、漏电极(204)以及氧化物半导体层(205)上;遮光层(208),其设在所述钝化层(207)上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层(205);包括第一电极和第二电极的有机发光体,其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层(207)与所述源电极(203)或者漏电极(204)电连接。具有上述结构的氧化物薄膜电晶体可提高元件的导电性能和稳定性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)