WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015100791) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100791    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/070507
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; No. 9-2 Tangming Road Guangming district of Shenzhen Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : HU, Zhe; (CN).
CHEN, Yuting; (CN).
ZHAN, Runze; (CN).
DONG, Chengyuan; (CN).
CHIANG, Chenglung; (CN).
CHEN, Polin; (CN).
LAI, Tzuchieh; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310754071.6 31.12.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE
(ZH) 薄膜晶体管基板的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a thin-film transistor substrate. The manufacturing procedure is simple, a good contact interface is achieved by means of a continuous film forming oxide semiconductor layer (25) and a source/drain (26), and the crowding effect due to an excessively great contact resistance is avoided. In addition, the source/drain (26) is made of metal materials containing tantalum, and the source/drain (26) is etched in the etching manufacturing process by an etching solution containing peroxide, so that damage of a traditional etching solution to the oxide semiconductor layer is avoided, and the quality of the thin-film transistor substrate is improved. Furthermore, an etching blocking layer does not need to be additionally manufactured to protect the oxide semiconductor layer on a back channel, so that the width/length ratio (W/L) of the channel is ensured, the structure of the thin-film transistor substrate is simplified, manufacturing procedures are reduced, production cost is lowered, and the defect-free rate of production is improved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de transistor à couche mince. L’opération de fabrication est simple, une bonne interface de contact est établie au moyen d'une couche semi-conductrice d'oxyde (25) formant une pellicule continue et d'un(e) source/drain (26), et l'effet de concentration causé par une résistance de contact excessivement élevée est évité. De plus, la source/le drain (26) est constitué(e) de matériaux en métal contenant du tantale, et la source/le drain (26) est gravé(e) durant le processus de gravure par une solution de gravure contenant du peroxyde, de sorte que les dégâts causés par une solution de gravure traditionnelle à la couche semi-conductrice d'oxyde sont évités, et que la qualité du substrat de transistor à couche mince est améliorée. En outre, une couche de blocage de gravure ne doit pas être fabriquée additionnellement pour protéger la couche semi-conductrice d'oxyde sur un canal arrière, de sorte que le ratio largeur/longueur (W/L) du canal est assuré, que la structure du substrat de transistor à couche mince est simplifiée, que les opérations de fabrication sont réduites, que le coût de production est abaissé et que le taux de production sans défauts est amélioré.
(ZH)一种薄膜晶体管基板的制造方法,制程简单,通过连续成膜氧化物半导体层(25)与源/漏极(26)实现良好的接触界面,避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应,同时,源/漏极(26)通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极(26)蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进行蚀刻,避免了传统蚀刻液对于氧化物半导体层的破坏,提升了薄膜晶体管基板的品质,且,不需要另外制作一层刻蚀阻挡层来保护背沟道处的氧化物半导体层,保证了较高的沟道宽长比(W/L),简化了薄膜晶体管基板的结构,减少了制作过程,降低了生产成本,提高了生产良率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)