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1. (WO2015100776) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE D'UN AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100776    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/070385
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2014
CIB :
G02F 1/1333 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Rd., Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : XU, Xiangyang; (CN).
CHANG, Wei-Min; (CN).
ZENG, Mian; (CN)
Mandataire : SHENZHEN RONDA PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; Unit 4G, Golden Century Building, Southeast Corner of Shennan Middle Road and Guangzhou-Shenzhen Expwy, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310747724.8 31.12.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE D'UN AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 一种液晶显示器的阵列基板的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an array substrate, comprising the steps of: forming a gate metal thin film on a base substrate (10) and employing a first single-tone mask to form a pattern comprising a gate scan line and a gate electrode (11); successively depositing onto the base substrate (10) on which the pattern is formed a gate insulating layer thin film (12), an active layer thin film (13), and a source/drain metal thin film (14), coating a photoresist (3) onto the source/drain metal thin film (14), employing a grayscale mask (2) for exposure and development of the photoresist (3), and utilizing an ashing process and etching of the photoresist (3) to form a source electrode (141), a drain electrode (140), a channel, and vias (1120 and 1110) of a common electrode lead connecting area (112) and of a gate electrode lead connecting area (111), where the grayscale mask (2) corresponds to three or more light transmittances; forming a passivation layer via a photolithography process on the base substrate (10) on which the pattern is formed; and, forming a pixel electrode via a photolithography process on the base substrate (10) on which the pattern is formed. This allows for reduced costs for manufacturing the array substrate and increased performance of the array substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice comprenant les étapes suivantes : formation d'un film mince métallique de gâchette sur un substrat de base (10) et utilisation d'un premier masque monochrome pour former un motif comprenant une ligne de balayage de gâchette et une électrode de gâchette (11) ; dépôt successif sur le substrat de base (10) sur lequel est formé le motif d'un film mince de couche d'isolation de gâchette (12), d'un film mince de couche active (13) et d'un film mince métallique de source/drain (14), application d'un agent photosensible (3) sur le film mince métallique de source/drain (14), utilisation d'un masque d'échelle de gris (2) pour l'exposition et le développement de l'agent photosensible (3), et utilisation d'un processus d'incinération et de gravure de l'agent photosensible (3) pour former une électrode de source (141), une électrode de drain (140), un canal et des interconnexions (1120 et 1110) d'une zone de connexion de fil d'électrode commune (112) et d'une zone de connexion de fil d'électrode de gâchette (111), le masque d'échelle de gris (2) correspondant à trois facteurs de transmission de la lumière ou plus ; formation d'une couche de passivation par le biais d'un processus de photolithographie sur le substrat de base (10) sur lequel est formé le motif ; et formation d'une électrode de pixel par le biais d'un processus de photolithographie sur le substrat de base (10) sur lequel est formé le motif. Cela permet des coûts de fabrication réduits du substrat de matrice et des performances accrues du substrat de matrice.
(ZH)一种阵列基板的制造方法,包括步骤:在衬底基板(10)上形成栅金属薄膜,并采用第一单色调掩膜板,形成包括有栅极扫描线及栅电极(11)的图案;在形成图案的衬底基板(10)上连续沉积栅绝缘层薄膜(12)、有源层薄膜(13)和源漏金属薄膜(14),在源漏金属薄膜(14)上涂覆光刻胶(3),并采用一灰阶掩膜板(2)对光刻胶(3)进行曝光显影,并利用光刻胶(3)灰化工艺及刻蚀,形成源电极(141)、漏电极(140)、沟道以及公共电极引线连接区(112)及栅极引线连接区(111)的过孔(1120、1110),其中,灰阶掩膜板(2)对应有三种以上的光线透过率;在形成图案的衬底基板(10)上通过光刻工艺形成钝化层;在形成图案的衬底基板(10)上通过光刻工艺形成像素电极。可以降低制造阵列基板的成本,以及提高阵列基板的性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)