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1. (WO2015100525) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE STRUCTURE À RÉGION DE DÉRIVE À SUPERJONCTION LONGITUDINALE DE DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100525    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/090850
Date de publication : 09.07.2015 Date de dépôt international : 30.12.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN/CN]; No.2006, Xiyuan Ave, West Hi-Tech Zone Chengdu, Sichuan 611731 (CN).
ELECTRONIC AND INFORMATION ENGINEERING IN DONGGUAN,UESTC [CN/CN]; No.17,Second Road,Headquarters, Dongguan Songshan Lake National High-tech Industrial Development Dongguan, Guangdong 523808 (CN)
Inventeurs : LI, Zehong; (CN).
SONG, Wenlong; (CN).
SONG, Xunyi; (CN).
GU, Hongming; (CN).
ZOU, Youbiao; (CN).
ZHANG, Jinping; (CN).
ZHANG, Bo; (CN)
Mandataire : CHENGDU HONGSHUN PATENT LAW OFFICE; 1007 Entrance 2, No.3 SanYou Road, Chenghua District Chengdu, Sichuan 610051 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LONGITUDINAL SUPERJUNCTION DRIFT REGION STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE STRUCTURE À RÉGION DE DÉRIVE À SUPERJONCTION LONGITUDINALE DE DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(ZH) 一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a power semiconductor device longitudinal superjunction drift region structure, relating to semiconductor technology, the fabrication method comprising: taking a P+ monocrystalline silicon wafer as a substrate (11); first, epitaxially growing a P-type layer (12) on the surface of the P+ monocrystalline silicon substrate (11); then, on the surface of the P-type layer (12), forming an N-type layer (13) by means of epitaxial or ion implantation and drive-in; the P-type layer (12) being a voltage resistant layer of the superjunction part; the N-type layer (13) being the MOS part forming region of the front of the device; after front-side processing is complete, performing backgrinding; by means of selectively implanting hydrogen ions into the back side as well as low-temperature annealing, forming an N-column region in the superjunction structure. The beneficial effects of the present invention are: a simple fabrication method, a reduced degree of difficulty in the manufacturing process, and reduced manufacturing costs, and the invention is particularly suitable for use in the fabrication of power semiconductor device longitudinal superjunction drift region structures.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour fabriquer une structure à région de dérive à superjonction longitudinale de dispositif de semi-conducteur de puissance, concernant la technologie de semi-conducteur, le procédé de fabrication comprenant : l'apport d’une tranche de silicium monocristallin P+ en tant que substrat (11) ; tout d’abord, la croissance épitaxiale d’une couche de type P (12) sur la surface du substrat de silicium monocristallin P+ (11), ensuite, sur la surface de la couche de type P (12), la formation d’une couche de type N (13) au moyen d’une implantation épitaxiale ou d’ions et d’un guidage vers l’intérieur ; la couche de type P (12) étant une couche résistante à la tension de la partie de superjonction ; la couche de type N (13) étant région de formation de partie MOS de l’avant du dispositif ; après qu’un traitement de côté avant est achevé, la réalisation d’un usinage arrière ; au moyen d’une implantation sélective d’ions d’hydrogène dans le côté arrière ainsi que d’un recuit à basse température, la formation d’une région de colonne N dans la structure de structure à superjonction. Les effets bénéfiques de la présente invention sont : un procédé de fabrication simple, un degré réduit de difficulté dans le processus de fabrication, et des coûts de fabrication réduits, et l’invention est particulièrement appropriée pour une utilisation dans la fabrication de structure à région de dérive à superjonction longitudinale de dispositif de semi-conducteur de puissance.
(ZH)一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法,涉及半导体技术,制作方法包括:以P+单晶硅片为衬底(11),首先在P+单晶硅衬底(11)表面外延生长P型层(12),然后在P型层(12)表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层(13),其中P型层(12)是超结部分的耐压层,N型层(13)是器件正面MOS部分的形成区域,在器件正面工艺完成后进行背面减薄,通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火,形成超结结构中的N柱区(25)。本发明的有益效果为,制作方法简单,降低了制造工艺难度,减少了制造成本,尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)