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1. (WO2015100389) CONTACTS PASSIVÉS AU SILICIUM AMORPHE POUR DES CELLULES SOLAIRES À JONCTION ARRIÈRE ET À CONTACT ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

demande internationale considérée comme retirée 2015-09-23 00:00:00.0


N° de publication :    WO/2015/100389    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/072294
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 23.12.2014
CIB :
Déposants : SOLEXEL, INC. [US/US]; 1530 Mccarthy Blvd Milpitas, CA 95035 (US).
KAPUR, Pawan [IN/US]; (US).
DESHAZER, Heather [US/US]; (US).
ISLAM, Mohammed [US/US]; (US).
MOSLEHI, Mehrdad, M. [US/US]; (US)
Inventeurs : KAPUR, Pawan; (US).
DESHAZER, Heather; (US).
ISLAM, Mohammed; (US).
MOSLEHI, Mehrdad, M.; (US)
Mandataire : WOOD, John Ryan, C.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/920,209 23.12.2013 US
Titre (EN) AMORPHOUS SILICON PASSIVATED CONTACTS FOR BACK CONTACT BACK JUNCTION SOLAR CELLS
(FR) CONTACTS PASSIVÉS AU SILICIUM AMORPHE POUR DES CELLULES SOLAIRES À JONCTION ARRIÈRE ET À CONTACT ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)Passivated contact structures and fabrication methods for back contact back junction solar cells are provided. According to one example embodiment, a back contact back junction photovoltaic solar cell is described that has a semiconductor light absorbing layer having a front side and a backside having base regions and emitter regions. An amorphous silicon passivating layer is positioned on the base regions. A first level base and emitter metallization contacts the emitter regions and the amorphous silicon passivating layer on the base regions. An electrically insulating backplane is positioned on the first level base and emitter metallization. A second level metallization contacts the first level base and emitter metallization through conductive vias in the electrically insulating backplane.
(FR)L'invention concerne des structures de contact passivées et des procédés de fabrication de cellules solaires à jonction arrière et à contact arrière. Selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, l'invention porte sur une cellule solaire photovoltaïque à jonction arrière et à contact arrière qui comporte une couche d'absorption de lumière à semi-conducteurs comportant une face avant et une face arrière ayant des régions de base et des régions émettrices. Une couche de passivation du silicium amorphe est positionnée sur les régions de base. Une métallisation d'émetteur et de base de premier niveau met en contact les régions émettrices et la couche de passivation du silicium amorphe sur les régions de base. Un fond de panier électro-isolant est positionné sur la métallisation d'émetteur et de base de premier niveau. Une métallisation de second niveau met en contact la métallisation d'émetteur et de base de premier niveau au moyen de trous d'interconnexion conducteurs réalisés dans le fond de panier électro-isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)