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1. (WO2015100103) BOBINE DE BLINDAGE CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES POUR SYSTÈME IRM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100103    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/070834
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 17.12.2014
CIB :
G01R 33/3815 (2006.01), G01R 33/3875 (2006.01), G01R 33/421 (2006.01), H01F 6/00 (2006.01)
Déposants : GE MEDICAL SYSTEMS GLOBAL TECHNOLOGYCOMAPNY, LLC [US/US]; 3000 North Grandview Boulevard Waukesha, WI 53188-1696 (US)
Inventeurs : ZHANG, Zhenyu; (US).
SHEN, Weijun; (US).
HAVENS, Timothy, John; (US)
Mandataire : CONKLIN, Mark A.; (US)
Données relatives à la priorité :
201310717957.3 23.12.2013 CN
Titre (EN) ELECTRO MAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING COIL FOR AN MRI SYSTEM
(FR) BOBINE DE BLINDAGE CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES POUR SYSTÈME IRM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a magnetic field adjustment system for use in a magnetic resonance imaging (MRI) magnetic field generating assembly and a respective method. The magnetic field adjustment system comprises a first magnetic field generating assembly and an additional assembly. Wherein the first magnetic field generating assembly is used for generating a first magnetic field required by the MRI; and the additional assembly, including a switch and a current branch line, is used for cooperating with the first magnetic field generating assembly to generate a second magnetic field required by the MRI.
(FR)La présente invention concerne un système d'ajustement de champ magnétique destiné à être utilisé dans un assemblage de génération de champ magnétique pour imagerie par résonance magnétique (IRM) et un procédé associé. Le système d'ajustement de champ magnétique comprend un premier assemblage de génération de champ magnétique et un assemblage supplémentaire. Le premier assemblage de génération de champ magnétique est utilisé pour générer un premier champ magnétique nécessaire pour l'IRM ; et l'assemblage supplémentaire, comprenant un commutateur et un branchement de courant, est utilisé pour coopérer avec le premier assemblage de génération de champ magnétique pour générer un second champ magnétique nécessaire pour l'IRM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)