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1. (WO2015100066) BARRIÈRES DE SCHOTTKY POUR UNE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/100066    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/070514
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 16.12.2014
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 11/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : NARDI, Federico; (US).
WANG, Yun; (US)
Mandataire : HELMS, JR, Aubrey L.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/138,462 23.12.2013 US
Titre (EN) SCHOTTKY BARRIERS FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) BARRIÈRES DE SCHOTTKY POUR UNE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abrégé : front page image
(EN)Provided are resistive random access memory (ReRAM) cells having Schottky barriers and methods of fabricating such ReRAM cells. Specifically, a ReRAM cell includes two Schottky barriers, one barrier limiting an electrical current through the variable resistance layer in one direction and the other barrier limiting a current in the opposite direction. This combination of the two Schottky barriers provides current compliance during set operations and limits undesirable current overshoots during reset operations. The Schottky barriers' heights are configured to match the resistive switching characteristics of the cell. Conductive layers of the ReRAM cells operable as electrodes may be used to form these Schottky barriers together with semiconductor layers. These semiconductor layers may be different components from a variable resistance layer and, in some embodiments, may be separated by intermediate conductive layers from the variable resistance layers.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire vive résistive (ReRAM) ayant des barrières de Schottky et des procédés de fabrication de telles cellules ReRAM. De manière spécifique, une cellule ReRAM comprend deux barrières de Schottky, une barrière limitant un courant électrique à travers la couche de résistance variable dans une direction et l'autre barrière limitant un courant dans la direction opposée. Cette combinaison des deux barrières de Schottky permet une conformité de courant pendant des opérations de réglage et limite les dépassements de courant indésirables pendant des opérations de réinitialisation. Les hauteurs des barrières de Schottky sont configurées pour correspondre aux caractéristiques de commutation résistives de la cellule. Des couches conductrices des cellules ReRAM exploitables comme électrodes peuvent être utilisées pour former ces barrières de Schottky conjointement avec des couches semi-conductrices. Ces couches semi-conductrices peuvent être des éléments distincts d'une couche à résistance variable et, dans certains modes de réalisation, peuvent être séparées, par des couches conductrices intermédiaires, des couches à résistance variable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)