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1. (WO2015099988) COMMANDE LOCALISÉE DE DISTRIBUTION ANGULAIRE D’IONS DANS UN APPAREIL DE TRAITEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099988    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/069054
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 08.12.2014
CIB :
H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : BILOIU, Costel; (US).
MUNOZ, Nini; (US).
GODET, Ludovic; (US).
RENAU, Anthony; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel, N.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/139,679 23.12.2013 US
Titre (EN) IN SITU CONTROL OF ION ANGULAR DISTRIBUTION IN A PROCESSING APPARATUS
(FR) COMMANDE LOCALISÉE DE DISTRIBUTION ANGULAIRE D’IONS DANS UN APPAREIL DE TRAITEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A processing apparatus may include a plasma source coupled to a plasma chamber to generate a plasma in the plasma chamber, an extraction plate having an aperture disposed along a side of the plasma chamber; a deflection electrode disposed proximate the aperture and configured to define a pair of plasma menisci when the plasma is present in the plasma chamber; and a deflection electrode power supply to apply a bias voltage to the deflection electrode with respect to the plasma, wherein a first bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a first angle of incidence for ions extracted through the aperture from the plasma, and a second bias voltage applied to the deflection electrode is configured to generate a second angle of incidence of ions extracted through the aperture from the plasma, the second angle of incidence being different from the first angle of incidence.
(FR)L’invention porte sur un appareil de traitement qui peut comprendre une source de plasma couplée à une chambre de plasma pour générer un plasma dans la chambre de plasma, une plaque d’extraction ayant une ouverture disposée le long d’un côté de la chambre de plasma ; une électrode de déflexion disposée à proximité de l’ouverture et configurée pour définir une paire de ménisques de plasma lorsque le plasma est présent dans la chambre de plasma ; et une alimentation électrique d’électrode de déflexion pour appliquer une tension de polarisation sur l’électrode de déflexion par rapport au plasma, une première tension de polarisation appliquée à l’électrode de déflexion étant configurée pour générer un premier angle d’incidence pour des ions extraits à travers l’ouverture depuis le plasma, et une seconde tension de polarisation appliquée sur l’électrode de déflexion étant configurée pour générer un second angle d’incidence d’ions extraits à travers l’ouverture depuis le plasma, le second angle d’incidence étant différent du premier angle d’incidence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)