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1. (WO2015099905) TECHNIQUES POUR UNE ISOLATION PAR TRANCHÉES EN UTILISANT DES MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES FLUIDIFIABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099905    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/066294
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 19.11.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : JHAVERI, Ritesh; (US).
LUCE, Jeanne L.; (US).
PARK, Sang-Won; (US).
HANKEN, Dennis G.; (US)
Mandataire : MALONEY, Neil F.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/139,964 24.12.2013 US
Titre (EN) TECHNIQUES FOR TRENCH ISOLATION USING FLOWABLE DIELECTRIC MATERIALS
(FR) TECHNIQUES POUR UNE ISOLATION PAR TRANCHÉES EN UTILISANT DES MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES FLUIDIFIABLES
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for providing trench isolation of semiconductive fins using flowable dielectric materials. In accordance with some embodiments, a flowable dielectric can be deposited over a fin-patterned semiconductive substrate, for example, using a flowable chemical vapor deposition (FCVD) process. The flowable dielectric may be flowed into the trenches between neighboring fins, where it can be cured in situ, thereby forming a dielectric layer over the substrate, in accordance with some embodiments. Through curing, the flowable dielectric can be converted, for example, to an oxide, a nitride, and/or a carbide, as desired for a given target application or end-use. In some embodiments, the resultant dielectric layer may be substantially defect-free, exhibiting no or an otherwise reduced quantity of seams/voids. After curing, the resultant dielectric layer can undergo wet chemical, thermal, and/or plasma treatment, for instance, to modify at least one of its dielectric properties, density, and/or etch rate.
(FR)L'invention porte sur des techniques pour réaliser une isolation par tranchées d'ailettes semi-conductrices en utilisant des matériaux diélectriques fluidifiables. Selon certains modes de réalisation, un diélectrique fluidifiable peut être déposé sur un substrat semi-conducteur à motifs en ailettes, par exemple, en utilisant un processus de dépôt chimique en phase vapeur fluidifiable (FCVD). Le diélectrique fluidifiable peut être amené à couler dans les tranchées entre des ailettes voisines, où il peut être durci in situ, formant ainsi une couche diélectrique sur le substrat, selon certains modes de réalisation. Par durcissement, le diélectrique fluidifiable peut être converti, par exemple, en un oxyde, un nitrure, et/ou un carbure, selon les besoins d'une application cible ou d'une utilisation finale données. Selon certains modes de réalisation, la couche diélectrique résultante peut être sensiblement sans défaut, ne présentant qu'une quantité réduite de jonctions ou de vides, voire n'en présentant aucun. Après durcissement, la couche diélectrique résultante peut être soumise à un traitement chimique par voie humide, thermique et/ou par plasma, par exemple, pour modifier au moins l'une de ses propriétés diélectriques, sa densité, et/ou sa vitesse de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)