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1. (WO2015099904) TECHNIQUES D’INTÉGRATION DE MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR HÉTÉROGÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099904    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/066293
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 19.11.2014
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LEVANDER, Alejandro X.; (US).
JUN, Kimin; (US)
Mandataire : MALONEY, Neil F.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/139,954 24.12.2013 US
Titre (EN) HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR MATERIAL INTEGRATION TECHNIQUES
(FR) TECHNIQUES D’INTÉGRATION DE MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR HÉTÉROGÈNE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for heteroepitaxial growth of a layer of lattice-mismatched semiconductor material on an initial substrate, and transfer of a defect-free portion of that layer to a handle wafer or other suitable substrate for integration. In accordance with some embodiments, transfer may result in the presence of island-like oxide structures on the handle wafer/substrate, each having a defect-free island of the lattice-mismatched semiconductor material embedded within its upper surface. Each defect-free semiconductor island may have one or more crystalline faceted edges and, with its accompanying oxide structure, may provide a planar surface for integration. In some cases, a layer of a second, different semiconductor material may be heteroepitaxially grown over the handle wafer/substrate to fill areas around the transferred islands. In some other cases, the handle wafer/substrate itself may be homoepitaxially grown to fill areas around the transferred islands.
(FR)L’invention porte sur des techniques pour une croissance hétéro-épitaxiale d’une couche de matériau de semi-conducteur à désaccord de réseau sur un substrat initial, et un transfert d’une partie sans défaut de cette couche vers une tranche de traitement ou un autre substrat approprié pour une intégration. Selon certains modes de réalisation, un transfert peut conduire à la présence de structures d’oxyde de type en îlot sur la tranche de traitement/substrat, chacune ayant un îlot sans défaut du matériau de semi-conducteur à désaccord de réseau intégré à l’intérieur de sa surface supérieure. Chaque îlot de semi-conducteur sans défaut peut avoir un ou plusieurs bords à facette cristalline et, à l'aide de sa structure d’oxyde accompagnante, peut fournir une surface planaire pour une intégration. Dans certains cas, une couche d’un second matériau de semi-conducteur différent peut subir une croissance hétéro-épitaxiale sur la tranche de traitement/substrat pour remplir des zones autour des îlots transférés. Dans certains autres cas, la tranche de traitement/substrat elle-même peut subir une croissance homo-épitaxiale pour remplir des zones autour des îlots transférés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)