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1. (WO2015099788) MÉMOIRE ASYMÉTRIQUE BITENSION C
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099788    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/078113
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.12.2013
CIB :
G11C 5/14 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MERCHANT, Feroze [US/US]; (US) (US only).
PRADHAN, Saurabh [IN/US]; (US) (US only).
RILEY, John [US/US]; (US) (US only).
SUBRAMANIAN, Karthik [IN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : MERCHANT, Feroze; (US).
PRADHAN, Saurabh; (US).
RILEY, John; (US).
SUBRAMANIAN, Karthik; (US)
Mandataire : NORDSTROM, Erik, R.; Intel Corporation c/o CPA Global P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DUAL VOLTAGE ASYMMETRIC MEMORY C
(FR) MÉMOIRE ASYMÉTRIQUE BITENSION C
Abrégé : front page image
(EN)Memory with asymmetric power delivery for keeper cells in the memory are provided. In some embodiments, first and second power delivery circuits use separate first and second independently regulated power supplies. The first supply may be a supply nominally used for the memory structure, while the second supply may be lower than the first supply. In some embodiments, during a write operation, the first (higher) supply is used for one of the logic elements in a keeper cell, while the second (lower) supply is used for the other keeper logic element.
(FR)L'invention concerne une mémoire avec une fourniture d'énergie asymétrique pour des cellules de maintien de la mémoire. Dans certains modes de réalisation, des premier et second circuits de fourniture d'énergie utilisent des première et seconde alimentations stabilisées de façon indépendante. La première alimentation peut être une alimentation utilisée de façon nominale pour la structure de mémoire, tandis que la seconde alimentation peut être inférieure à la première alimentation. Dans certains modes de réalisation, au cours d'une opération d'écriture, la première alimentation (supérieure) est utilisée pour l'un des éléments logiques dans une cellule de maintien, tandis que la seconde alimentation (inférieure) est utilisée pour l'autre élément logique de maintien.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)