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1. (WO2015099784) CANAL AU GE SOUMIS À UNE CONTRAINTE DE TENSION BIAXIALE POUR UN SEMI-CONDUCTEUR CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099784    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/078100
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.12.2013
CIB :
H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : MAJHI, Prashant; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
CHAU, Robert, S.; (US)
Mandataire : BABBITT, William, Thomas; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BI-AXIAL TENSILE STRAINED GE CHANNEL FOR CMOS
(FR) CANAL AU GE SOUMIS À UNE CONTRAINTE DE TENSION BIAXIALE POUR UN SEMI-CONDUCTEUR CMOS
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus comprising a complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter including an n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET); and a p-channel MOSFET, wherein a material of a channel in the n-channel MOSFET and a material of a channel in the p-channel MOSFET is subject to a bi-axial tensile strain. A method including forming an n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET); forming a p-channel MOSFET; and connecting the gate electrodes and the drain regions of the n-channel MOSFET and the p-channel MOSFET, wherein a material of the channel in the n-channel MOSFET and a material of the channel in the p-channel MOSFET is subject to a bi-axial tensile strain.
(FR)L'invention concerne un appareil comprenant un onduleur à semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS pour Complimentary Metal Oxide Semiconductor) comprenant un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET pour Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) à canal n ; et un transistor MOSFET à canal p, un matériau d'un canal dans le transistor MOSFET à canal n et un matériau d'un canal dans le transistor MOSFET à canal p étant soumis à une contrainte de tension biaxiale. Un procédé consiste à former un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) à canal n ; à former un transistor MOSFET à canal p ; et à raccorder les électrodes de grille et les régions de drain du transistor MOSFET à canal n et du transistor MOSFET à canal p, un matériau du canal dans le transistor MOSFET à canal n et un matériau du canal dans le transistor MOSFET à canal p étant soumis à une contrainte de tension biaxiale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)