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1. (WO2015099761) GRAVURE SÉLECTIVE POUR ARCHITECTURES À GRILLE ENROBANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099761    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077957
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 27.12.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
SUNG, Seung Hoon [KR/US]; (US) (US only).
TURKOT, Robert, B., Jr. [US/US]; (US) (US only).
MURTHY, Anand [US/US]; (US) (US only).
KIM, Seiyon [KR/US]; (US) (US only).
KUHN, Kelin [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : SUNG, Seung Hoon; (US).
TURKOT, Robert, B., Jr.; (US).
MURTHY, Anand; (US).
KIM, Seiyon; (US).
KUHN, Kelin; (US)
Mandataire : PFLEGER, Edmund P.; Grossman, Tucker, Perreault & Pfleger, PLLC c/o CPA Global P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SELECTIVE ETCHING FOR GATE ALL AROUND ARCHITECTURES
(FR) GRAVURE SÉLECTIVE POUR ARCHITECTURES À GRILLE ENROBANTE
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a method of etching sacrificial material. The method includes supplying a semiconductor substrate in a reaction chamber, wherein the substrate includes a channel disposed on the substrate and a sacrificial layer disposed on at least a portion of the channel. The method further includes supplying an interhalogen vapor to the reaction chamber, etching at least a portion of the sacrificial layer with the interhalogen vapor and exposing at least a portion of said channel from under the sacrificial layer.
(FR)La présente invention concerne une méthode de gravure de matériau sacrificiel. La méthode consiste à fournir un substrat semi-conducteur dans une chambre de réaction, le substrat comprenant un canal situé sur le substrat et une couche sacrificielle située sur au moins une partie du canal. La méthode consiste de plus à introduire une vapeur de composé interhalogéné dans la chambre de réaction, graver au moins une partie de la couche sacrificielle avec la vapeur de composé interhalogéné et exposer au moins une partie dudit canal présent sous la couche sacrificielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)