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1. (WO2015099680) PRÉ-SCULPTURE D'ÉLÉMENTS AILETTES EN SI AVANT REVÊTEMENT POUR APPLICATIONS SUR CANAUX DE TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099680    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077593
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 23.12.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : GLASS, Glenn A.; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
AUBERTINE, Daniel B.; (US).
JOSHI, Subhash M.; (US)
Mandataire : GAZ, Angelo J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PRE-SCULPTING OF SI FIN ELEMENTS PRIOR TO CLADDING FOR TRANSISTOR CHANNEL APPLICATIONS
(FR) PRÉ-SCULPTURE D'ÉLÉMENTS AILETTES EN SI AVANT REVÊTEMENT POUR APPLICATIONS SUR CANAUX DE TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)Transistor fin elements (e.g., fin or tri gate) may be modified by radio frequency (RF) plasma and/or thermal processing for purpose of dimensional sculpting. The etched, thinned fins may be formed by first forming wider single crystal fins, and after depositing trench oxide material between the wider fins, etching the wider fins using a second etch to form narrower single crystal fins having undamaged top and sidewalls for epitaxially growing active channel material. The second etch may remove a thickness of between a 1 nm and 15 nm of the top surfaces and the sidewalls of the wider fins. It may remove the thickness using (1) chlorine or fluorine based chemistry using low ion energy plasma processing, or (2) low temperature thermal processing that does not damage fins via energetic ion bombardment, oxidation or by leaving behind etch residue that could disrupt the epitaxial growth quality of the second material.
(FR)Selon l'invention, des éléments ailettes de transistor (par exemple, à ailette ou tri-grille) peuvent être modifiés par traitement au plasma radiofréquence (RF) et/ou thermique pour la sculpture dimensionnelle. Les ailettes gravées et amincies peuvent être formées en formant d'abord des ailettes monocristallines plus larges, et après le dépôt de matériau oxyde de tranchée entre les ailettes plus larges, en gravant les ailettes plus larges en utilisant une deuxième gravure pour former des ailettes monocristallines plus étroites ayant des parois de sommet et latérales intactes pour la croissance épitaxiale de matériau de canal actif. La deuxième gravure peut enlever une épaisseur entre 1 nm et 15 nm des surfaces supérieures et des parois latérales des ailettes plus larges. Elle peut enlever l'épaisseur en utilisant (1) une chimie à base de chlore ou de fluor utilisant un traitement au plasma à basse énergie ionique, ou (2) un traitement thermique à basse température qui n'endommage pas les ailettes par bombardement d'ions énergétiques, oxydation ou en laissant un résidu de gravure qui pourrait affecter la qualité de la croissance épitaxiale du deuxième matériau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)