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1. (WO2015099668) CONDENSATEUR COAXIAL ISOLÉ PAR UN TROU D'INTERCONNEXION À TRAVERS UN CORPS ET TECHNIQUES PERMETTANT DE FORMER CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099668    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077559
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 23.12.2013
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : LEE, Kevin, J.; (US).
SARASWAT, Ruchir; (GB).
ZILLMANN, Uwe; (DE).
COWLEY, Nicholas, P.; (GB).
SCHAEFER, Andre; (DE).
JAIN, Rinkle; (US).
DROEGE, Guido; (DE)
Mandataire : RAYMOND, Jonathan, R.; Finch & Maloney PLLC c/o CPA Global P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THROUGH-BODY-VIA ISOLATED COAXIAL CAPACITOR AND TECHNIQUES FOR FORMING SAME
(FR) CONDENSATEUR COAXIAL ISOLÉ PAR UN TROU D'INTERCONNEXION À TRAVERS UN CORPS ET TECHNIQUES PERMETTANT DE FORMER CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming a through-body-via (TBV) isolated coaxial capacitor in a semiconductor die. In some embodiments, a cylindrical capacitor provided using the disclosed techniques may include, for example, a conductive TBV surrounded by a dielectric material and an outer conductor plate. The TBV and outer plate can be formed, for example, so as to be self-aligned with one another in a coaxial arrangement, in accordance with some embodiments. The disclosed capacitor may extend through the body of a host die such that its terminals are accessible on the upper and/or lower surfaces thereof. Thus, in some cases, the host die can be electrically connected with another die to provide a die stack or other three-dimensional integrated circuit (3D IC), in accordance with some embodiments. In some instances, the disclosed capacitor can be utilized, for example, to provide integrated capacitance in a switched-capacitor voltage regulator (SCVR).
(FR)L'invention concerne des techniques permettant de former un condensateur coaxial isolé par un trou d'interconnexion à travers un corps (TBV pour Through-Body-Via). Selon certains modes de réalisation, un condensateur cylindrique formé à l'aide des techniques de l'invention peut comprendre, par exemple, un trou TBV conducteur entouré par un matériau diélectrique et une plaque conductrice externe. Le trou TBV et la plaque externe peuvent être formés, par exemple, de sorte à être alignés automatiquement l'un par rapport à l'autre selon un agencement coaxial selon certains modes de réalisation. Le condensateur de l'invention peut s'étendre à travers le corps d'une puce hôte de telle sorte que ses bornes soient accessibles sur ses surfaces supérieure et/ou inférieure. Ainsi, dans certains cas, la puce hôte peut être raccordée électriquement à une autre puce pour donner un empilage de puces ou un autre circuit intégré tridimensionnel CI 3D) selon certains modes de réalisation. Dans certains cas, le condensateur de l'invention peut être utilisé, par exemple, pour donner une capacité intégrée dans un régulateur de tension à capacités commutées (SCVR pour Switched-Capacitor Voltage Regulator).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)