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1. (WO2015099030) CIRCUIT DE PUISSANCE ET MODULE DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099030    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/084292
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 25.12.2014
CIB :
H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/00 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01), H03K 17/695 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventeurs : OTAKE, Hirotaka; (JP).
YANAGI, Tatsuya; (JP).
NAKAKOHARA, Yusuke; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-268787 26.12.2013 JP
Titre (EN) POWER CIRCUIT AND POWER MODULE
(FR) CIRCUIT DE PUISSANCE ET MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワー回路およびパワーモジュール
Abrégé : front page image
(EN) A power circuit (1) is provided with: a main substrate (10); a first electrode pattern (121) disposed on the main substrate and connected to a positive-side power terminal (P); a second electrode pattern (12n) disposed on the main substrate and connected to a negative-side power terminal (N); a third electrode pattern (124) disposed on the main substrate and connected to an output terminal (O); a first MISFET (Q1) in which a first drain is disposed on the first electrode pattern; a second MISFET (Q4) in which a second drain is disposed on the third electrode pattern; and a first control circuit (gate diode (DG1)) connected between the first source (S1) and the first gate (G1) of the first MISFET, the first control circuit controlling the path of a current conducted from the first source towards the first gate. It is thereby possible to provide a power circuit in which malfunctioning and parasitic oscillation are suppressed, and high-speed switching performance is obtained; and a power module equipped with the power circuit.
(FR) Selon l'invention, un circuit de puissance (1) comprend : un substrat principal (10); un premier motif d'électrode (121) situé sur le premier substrat et connecté à une borne de puissance côté positif (P); un deuxième motif d'électrode (12n) situé sur le substrat principal et connecté à une borne de puissance côté négatif (N); un troisième motif d'électrode (124) situé sur le substrat principal et connecté à une borne de sortie (O); un premier MISFET (Q1) dans lequel un premier drain est situé sur le premier motif d'électrode; un deuxième MISFET (Q4) dans lequel un deuxième drain est situé sur le troisième motif d'électrode; et un premier circuit de commande (diode de grille (DG1)) connecté entre la première source (S1) et la première grille (G1) du premier MISFET, le premier circuit de commande commandant le trajet d'un courant conduit de la première source vers la première grille. Il est ainsi possible de fournir un circuit de puissance dans lequel le mauvais fonctionnement et les oscillations parasites sont supprimés, et une performance de commutation à haute vitesse est obtenue; et un module de puissance équipé du circuit de puissance.
(JA) パワー回路1は、主基板(10)と、主基板上に配置され、正側電力端子Pに接続された第1電極パターン(121)と、主基板上に配置され、負側電力端子Nに接続された第2電極パターン(12n)と、主基板上に配置され、出力端子Oに接続された第3電極パターン(124)と、第1電極パターン上に第1ドレインが配置された第1MISFETQ1と、第3電極パターン上に第2ドレインが配置された第2MISFETQ4と、第1MISFETの第1ゲートG1および第1ソースS1間に接続され、第1ソースから第1ゲートに向けて導通する電流の経路を制御する第1制御回路(ゲートダイオードDG1)とを備える。誤動作および寄生発振を抑制し高速スイッチング性能のパワー回路およびパワー回路を搭載するパワーモジュールを提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)