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1. (WO2015099010) CREUSET POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR, PROCÉDÉ POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN CREUSET POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/099010    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/084241
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 25.12.2014
CIB :
C30B 29/20 (2006.01), C25D 3/66 (2006.01), C25D 5/28 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01), F27B 14/10 (2006.01)
Déposants : A.L.M.T.CORP. [JP/JP]; 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP)
Inventeurs : ITAKURA, Takeshi; (JP).
NAKABAYASHI, Seiji; (JP).
KADOKURA, Takanori; (JP).
MORIKAWA, Tatsuya; (JP).
TAKIDA, Tomohiro; (JP).
IKEGAYA, Akihiko; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-269029 26.12.2013 JP
Titre (EN) SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL GROWTH CRUCIBLE, METHOD FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL GROWTH CRUCIBLEGROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL
(FR) CREUSET POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR, PROCÉDÉ POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN CREUSET POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SAPHIR
(JA) サファイア単結晶育成用坩堝、サファイア単結晶育成方法およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention addresses the problem of providing a crucible for growing a sapphire single crystal, the crucible being optimized for obtaining a sapphire single crystal. This sapphire single-crystal growth crucible (1) has a crucible-shaped base material (3) having molybdenum as a primary component thereof, and a coating layer (5) which is a plating layer provided to at least the internal periphery (3a) of the base material (3), the coating layer (5) comprising tungsten and unavoidable impurities and having an oxygen concentration of less than 0.1% by mass.
(FR) La présente invention concerne un creuset pour la croissance d'un monocristal de saphir, le creuset étant optimisé pour obtenir un monocristal de saphir. Ce creuset (1) pour la croissance d'un monocristal de saphir possède un matériau (3) de base en forme de creuset dont le composant principal est le molybdène, et une couche de revêtement (5) qui est une couche de placage déposée sur au moins la périphérie interne (3a) du matériau de base (3), la couche de revêtement (5) comprenant du tungstène et des impuretés inévitables et possédant une concentration en oxygène inférieure à 0,1 % en masse.
(JA) 本発明の課題は、サファイア単結晶を得るために最適化されたサファイア単結晶育成用坩堝を提供することにある。本発明のサファイア単結晶育成用坩堝1は、モリブデンを主成分とする坩堝形状の母材3と、母材3の少なくとも内周3aに設けられ、タングステンと不可避不純物からなり、酸素濃度が0.1質量%未満のめっき層であるコーティング層5を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)