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1. (WO2015098873) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098873    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083971
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 22.12.2014
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MATERIAL CONCEPT, INC. [JP/JP]; 6-6-40-408 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 9808579 (JP)
Inventeurs : KOIKE, Junichi; (JP).
SUTOU, Yuji; (JP).
ANDO, Daisuke; (JP).
Hoang Tri Hai; (JP)
Mandataire : IWAIKE, Mitsuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-265871 24.12.2013 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with an interface layer that minimizes interdiffusion between a silicon substrate and copper electrode wiring that are used as a solar cell, that improves the adhesive properties of copper wiring, and that is used to obtain ohmic contact characteristics. This silicon solar cell comprises a silicon substrate (1) and is provided with a metal oxide layer (100) that is formed on the silicon substrate and wiring (10) that is formed on the metal oxide layer and that comprises mainly copper. The metal oxide layer contains (a) one of either titanium or manganese, (b) one of vanadium, niobium, tantalum, or silicon, and (c) at least one of copper and nickel. In addition, the metal oxide layer comprises copper or nickel as metal particles that are diffused in the interior of the metal oxide layer.
(FR)La présente invention comporte une couche d'interface qui minimise l'interdiffusion entre un substrat de silicium et du câblage d'électrode en cuivre qui sont utilisés comme cellule solaire, qui améliore les propriétés adhésives du câblage en cuivre, et qui est utilisée pour obtenir des caractéristiques de contact ohmique. Cette cellule solaire en silicium comprend un substrat de silicium (1) et comporte une couche d'oxyde de métal (100) qui est formée sur le substrat de silicium et du câblage (10) qui est formé sur la couche d'oxyde de métal et qui comprend principalement du cuivre. La couche d'oxyde de métal contient (a) soit du titane soit du manganèse, (b) du vanadium, du niobium, du tantale, ou du silicium, et c) au moins un élément entre le cuivre et le nickel. De plus, la couche d'oxyde de métal comprend du cuivre ou du nickel sous forme de particules de métal qui sont diffusées à l'intérieur de la couche d'oxyde de métal.
(JA) 太陽電池として用いるシリコン基板と銅電極配線との間の相互拡散を抑止し、銅配線の密着性を高め、オーミック接触特性を得るための界面層を提供する。 シリコン基板1を有するシリコン太陽電池において、前記シリコン基板上に形成された金属酸化物層100と、前記金属酸化物層上に形成された銅を主体とする配線10と、を備え、前記金属酸化物層は、(a)チタンまたはマンガンのいずれか1種と、(b)バナジウム、ニオブ、タンタルまたはシリコンのいずれか1種と、(c)銅およびニッケルの少なくとも一種とを含む。また、前記金属酸化物層は、銅またはニッケルが金属粒子として金属酸化物層の内部に分散するものを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)