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1. (WO2015098872) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MESURE I-V POUR CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE CELLULE SOLAIRE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/098872    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/083967
Date de publication : 02.07.2015 Date de dépôt international : 22.12.2014
CIB :
H02S 50/10 (2014.01), G01R 31/26 (2014.01), H01L 31/05 (2014.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventeurs : YOSHIKAWA, Kunta; (JP).
KAWASAKI, Hayato; (JP).
NAKANO, Kunihiro; (JP).
YAMAMOTO, Kenji; (JP)
Mandataire : SHINTAKU, Masato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-268736 26.12.2013 JP
Titre (EN) I-V MEASUREMENT METHOD FOR SOLAR CELL, I-V MEASUREMENT DEVICE FOR SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL MODULE, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MESURE I-V POUR CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE CELLULE SOLAIRE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池のI‐V測定方法、太陽電池のI‐V測定装置、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、および太陽電池モジュール
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an I-V measurement method for a solar cell (10) having a collecting electrode (6) on the first surface side of a one conductivity-type single-crystal silicon substrate (1) and having a transparent electrode (5) on the outermost surface on the second surface side of the one conductivity-type single-crystal silicon substrate (1). In this I-V measurement method for the solar cell, I-V measurement is performed by passing an electric current through the solar cell (10) in a state in which flexible metal foil (20) and the transparent electrode (5) are detachably brought into contact with each other so as to follow the undulations of the one conductivity-type single-crystal silicon substrate (1) with the first surface as a light receiving surface. It is desirable that at least a portion that is in contact with the transparent electrode (5) of the metal foil (20) be formed from at least one type selected from the group consisting of Sn, Ag, Ni, In, and Cu.
(FR)La présente invention concerne un procédé de mesure I-V pour une cellule solaire (10) qui possède une électrode de collecte (6) sur le côté de la première surface d'un substrat de silicium (1) à cristal unique de type à une conductivité et possédant une électrode transparente (5) sur la surface externe du côté de la seconde surface du substrat de silicium (1) à cristal unique de type à une conductivité. Dans ce procédé de mesure I-V pour la cellule solaire, une mesure I-V est effectuée en faisant passer un courant électrique à travers la cellule solaire (10) dans un état dans lequel une feuille métallique souple (20) et l'électrode transparente (5) sont amenées de façon détachable au contact l'une de l'autre, de façon à suivre les ondulations du substrat de silicium (1) à cristal unique de type à une conductivité avec la première surface comme surface de réception de la lumière. Il est souhaitable qu'au moins une partie qui est en contact avec l'électrode transparente (5) de la feuille métallique (20) soit formée à partir d'au moins un type choisi dans le groupe constitué de Sn, Ag, Ni, In et Cu.
(JA) 本発明は、一導電型単結晶シリコン基板(1)の第一面側に集電極(6)を有し、上記一導電型単結晶シリコン基板(1)の第二面側の最表面に透明電極(5)を有する太陽電池(10)のI‐V測定方法に関する。本発明の太陽電池のI‐V測定方法においては、上記第一面を受光面とし、上記一導電型単結晶シリコン基板(1)のうねりに追従するように、可撓性の金属箔(20)と上記透明電極(5)とを着脱可能に接触させた状態で、上記太陽電池(10)に電流を流してI‐V測定を行う。上記金属箔(20)は、少なくとも上記透明電極(5)と接触する部分が、Sn、Ag、Ni、InおよびCuからなる群より選択される少なくとも一種から構成されることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)